美國化合物大廠Cree近日在其官方公眾號宣布，公司于去年9月宣布將在美國紐約州 Marcy 建造一座全新的采用最先進技術(shù)并滿足車規(guī)級標準的 200 mm 碳化硅（SiC）功率和射頻（RF）制造工廠。而現(xiàn)在，該工廠目前已經(jīng)完成基礎(chǔ)工程施工，并開始主體工程施工。
 

Cree表示，這一新制造工廠旨在顯著提升用于 Wolfspeed 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）業(yè)務的產(chǎn)能，將建設(shè)成為一座規(guī)模龐大、高度自動化且具備更高生產(chǎn)能力的工廠。這一位于紐約州的先進 fab，和位于北卡羅萊納州的超級材料工廠（mega materials factory），將創(chuàng)建在美國東海岸的碳化硅（SiC）走廊，推進碳化硅（SiC）被更為快速地采用。
 

去年五月，Cree方面宣布，作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC碳化硅產(chǎn)能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術(shù)的自動化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級工廠。這項標志著公司迄今為止最大的投資，將為Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業(yè)務提供動能。在2024年全部完工之后，這些工廠將極大增強公司SiC碳化硅材料性能和晶圓制造產(chǎn)能，使得寬禁帶半導體材料解決方案為汽車、通訊設(shè)施和工業(yè)市場帶來巨大技術(shù)轉(zhuǎn)變。
 

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示：“我們不斷地看到在汽車和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用SiC碳化硅的優(yōu)勢來驅(qū)動創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是，現(xiàn)有的供應卻遠遠不能夠滿足我們對于SiC碳化硅的需求。今天，我們宣布了公司迄今在生產(chǎn)制造的最大投資，將大幅地提升供應，幫助客戶為市場提供變革性的產(chǎn)品和服務。這項在設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施、公司人力方面的巨大投入，將為我們顯著擴大產(chǎn)能。與2017財年第一季度(也就是我們開始擴大產(chǎn)能的第一階段)相比較，能夠帶來SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和材料生產(chǎn)的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在δ來5年乃至更長遠的預期增長。”
 

這項計劃將為業(yè)界領(lǐng)先的Wolfspeed SiC碳化硅業(yè)務提供附加產(chǎn)能。通過增建現(xiàn)有的建筑設(shè)施，作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠，邁出滿足預期市場需求的第一步。新的North Fab將被設(shè)計成能夠全面滿足汽車認證的工廠，其生產(chǎn)提供的晶圓表面積將會是今天現(xiàn)有的18倍，剛開始階段將進行150mm晶圓的生產(chǎn)。公司將把現(xiàn)有在達勒姆的生產(chǎn)和材料工廠轉(zhuǎn)變?yōu)橐蛔牧铣壒S。
 

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生同時還表示：“這些SiC碳化硅制造超級工廠，將加速當今最快增長市場的創(chuàng)新。通過提供解決方案，幫助提高EV電動汽車的行駛里程并減少充電時間，同時支持5G網(wǎng)絡(luò)在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化硅和GaN氮化鎵技術(shù)和制造有史以來最大的資本投資，也是一種在財政上負責任的方式。通過采用現(xiàn)有工廠和安裝絕大部分的整新工具，我們相信我們可以實現(xiàn)提供最先進技術(shù)的200mm fab，并且成本大約僅為一座新fab的1/3。”

擴大的園區(qū)將創(chuàng)造高科技就業(yè)機會，并提供先進制造人才發(fā)展計劃。Cree計劃與州、當?shù)睾退哪曛圃盒ｉ_展培訓項目，為新工廠所帶來的長期、高端就業(yè)和成長機遇提供人才儲備。

羅姆在早前發(fā)布新聞稿宣稱，將擴增使用于電動車 (EV) 等用途的碳化硅 (SiC) 電源控制芯片產(chǎn)能，將在旗下生產(chǎn)子公司「ROHM Apollo」的筑后工廠 (福岡縣) 內(nèi)興建新廠房，預計于 2019 年 2 月動工、2020 年 12 月完工。此外，羅姆于 SiC 電源控制芯片事業(yè)策略說明會上表示，將投資約 200 億日圓，于 2020 年倍增 SiC 電源控制芯片產(chǎn)能，而羅姆也考慮于宮崎縣進行增產(chǎn)投資，在 2025 年 3 月底前累計將投資 600 億日圓，屆時將 SiC 電源控制芯片產(chǎn)能大幅擴增至 2016 年度 16 倍。
 

另外，日本昭和電工也多次發(fā)表了產(chǎn)能擴充聲明。該公司之前分別于 2017 年 9 月、2018 年 1 月宣布增產(chǎn) SiC 晶圓，不過因 SiC 制電源控制晶片市場急速成長、為了因應來自顧客端旺盛的需求，因此決定對 SiC 晶圓進行第 3 度的增產(chǎn)投資。昭和電工 SiC 晶圓月產(chǎn)能甫于 2018 年 4 月從 3,000 片提高至 5,000 片 (第 1 次增產(chǎn))，且將在2019年 9 月進一步提高至 7,000 片 (第 2 次增產(chǎn))，而進行第 3 度增產(chǎn)投資后，將在 2019 年 2 月擴增至 9,000 片的水準、達現(xiàn)行 (5,000 片) 的 1.8 倍。
 

除了晶圓供應商擴產(chǎn)，下游的代工廠也在加速布局，迎接即將爆發(fā)的 SiC 熱潮。
 

X-Fab 在去年九月宣布，計劃將其位于德克薩斯州 6 英寸 SiC 工藝工廠產(chǎn)能翻番，以滿足客戶對高效功率半導體器件日益增長的需求。為了使容量翻倍，X-Fab德州工廠購買了第二臺加熱離子注入機，用于制造 6 英寸 SiC 晶圓。預計到在 2019 年第一季度及時生產(chǎn)，以滿足預計的近期需求。
 

X-Fab 德州工廠的 Lloyd Whetzel 說：“隨著 SiC 的日益普及，我們早就明白，提高離子注入能力是我們在 SiC 市場上的持續(xù)制造成功的關(guān)鍵。但這只是我們針對特定 SiC 制造工藝改進的總體資本計劃的第一步。這體現(xiàn)了 X-Fab 對 SiC 行業(yè)的承諾，并保持我們在 SiC 鑄造業(yè)務中的領(lǐng)導地位。”
 

來自臺灣地區(qū)的晶圓代工廠漢磊在去年八月也宣布，決定擴大碳化硅（SiC）產(chǎn)能，董事會決議斥資 3.4 億元新建置 6 吋 SiC 生產(chǎn)線，為臺灣地區(qū)第一家率先擴增 SiC 產(chǎn)能的代工廠，預計明年下半年可以展開試產(chǎn)。據(jù)了解，漢磊目前已建立 4 吋 SiC 制程月產(chǎn)能約 1500 片，預計將現(xiàn)有 6 吋晶圓廠部分生產(chǎn)線改為 SiC 制程生產(chǎn)線，先把制程建立起來，以滿足車載、工控產(chǎn)品等客戶強勁需求，因 6 吋的 SiC 售價達 4000 美元（約 12 萬臺幣），估計每月只要產(chǎn)出 2000 到 3000 片，帶動營收就可望增加 2、3 億元以上。
 

芯片廠方面，意法半導體、羅姆、英飛凌和力特等廠商都在卯足勁擴充自己的勢力，這個市場的一場角逐大戰(zhàn)，必將打響。