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【CASMITA信息匯總】臺積電EUV光刻機采購將超過50臺,博世、恩智浦、中車株洲、百識、晟芯.....

日期:2020-09-28 來源:第三代半導體產業網閱讀:674
核心提示:9月28日消息,臺積電加速先進制程推進,近期擴大釋單,累計 EUV 機臺至 2021年底將超過50臺。報道指出,相較之下,三星電子(Samsung Electronics)2021 年還不到 25 臺,同時 EUV POD(光罩傳送盒)采購量遠低于預期。臺積電 8 月舉行了年度技術研討會,透露了其在尖端制造實力方面的情況。臺積電占據了業界 EUV(極紫外光)設備安裝量的 50%。此外,臺積電還擁有約 60% 的 EUV 晶圓累計產量。
 1、臺媒:臺積電EUV光刻機采購將超過50臺 遠超三星

 

9月28日消息,臺積電加速先進制程推進,近期擴大釋單,累計 EUV 機臺至 2021年底將超過50臺。報道指出,相較之下,三星電子(Samsung Electronics)2021 年還不到 25 臺,同時 EUV POD(光罩傳送盒)采購量遠低于預期。

 

臺積電 8 月舉行了年度技術研討會,透露了其在尖端制造實力方面的情況。臺積電占據了業界 EUV(極紫外光)設備安裝量的 50%。此外,臺積電還擁有約 60% 的 EUV 晶圓累計產量。

 

2、博世80億元投入智能科技!首發碳化硅功率器件新技術

 

在9月26日開幕的北京車展上,全球最大的汽車零部件集團博世展示了其電氣化、自動化、互聯化交通出行的創新性技術與前沿解決方案。其中,博世的燃料電池電堆、智能駕艙都是首次在中國展出。另外,博世的碳化硅功率器件是首次在全球亮相。

 

其中,博世新開發的碳化硅功率器件是一項新材料運用技術,與傳統硅基材料產品相比,碳化硅功率器件在實現更高開關頻率的同時,保持較低能量損耗和較小芯片面積,為電動汽車和混合動力汽車增加高達6%的續航里程。

 

燃料電池電堆也是首次在中國展示,這凸顯了博世在中國發展氫燃料電池的戰略。博世中國的燃料電池中心將于今年底建成,預計明年開始實現電堆的小批量生產。此外,在此次車展中,博世還展示了其電子空氣壓縮機、氫氣噴射器、氫循環泵等關鍵零部件。

 

中國是全球最大的新能源汽車市場。博世正在這一領域大力投入和開發,為混合動力和電動車提供全面的產品組合,包括電機、電橋、電力電子控制器、車載沖配電單元、48V系統、制動和轉向系統等。目前,博世在中國已經成為除主機廠外出貨量最大的電機供應商。今年,博世的電橋和IGBT功率模塊將率先實現批量生產,供應給在華客戶。

 

博世集團董事會成員、汽車與智能交通技術業務部門主席Stefan Hartung博士在現場的視頻連線中表示,博世仍將在燃料電池技術、自動駕駛和汽車電子電氣架構等重要的業務增長領域繼續進行投資和不斷創新。今年博世集團在電氣化、自動化和互聯化交通領域的投入仍將保持高位,預計超過10億歐元(人民幣約80億元)。

 

在中國布局上,博世在中國現在研發人員已經增長到7800多名,比上一年增長300多名。博世中國創新與軟件研發中心今年已經開始團隊工作,其全新大樓不久就已在無錫建成啟用,這將進一步整合并加強中國本土的軟件開發能力。博世在上海建立了其全球第7個人工智能中心,推動本土人工智能前沿技術的研發。此外,長沙熱管理系統實驗室、寧波兩輪車生產研發基地也將在今年投入使用。

 

3、恩智浦RF氮化鎵功率放大器生產線在美開工

 

恩智浦斥資1億美元,用于擴建5G手機網絡晶體管和RF功率放大器的生產線在美國亞利桑那州錢德勒工廠日前正式投入運營。

 

該生產線已經雇傭約100名員工從事氮化鎵(GaN)的制造工作,該工藝技術可以用于在6英寸晶圓上生產單片微波集成電路,由于對發射功率的特殊要求,5G基站對功率放大器提出了更多需求。氮化鎵憑借高頻、高輸出功率的優勢,正在5G基站功率放大器領域得到越來越廣泛的應用。此外,在恩智浦錢德勒硅制造廠附近,還有250名工人從事氮化鎵的制造和研發工作。

 

4、45億!砷化鎵集成電路芯片生產線等項目落戶江西

 

日前,贛州經開區舉行項目集中簽約儀式,總投資近45億元的14個項目集中落戶。項目簽約方代表、區直、駐區有關部門(單位)主要負責人、金融機構等有關負責人參加。

 

東宏光電科技股份有限公司6英寸砷化鎵集成電路芯片生產線項目簽約儀式現場

 

此次簽約的14個項目,分別是東宏光電科技股份有限公司6英寸砷化鎵集成電路芯片生產線項目,贛州芯聚微電子有限公司芯片設計及封裝測試項目等14個項目。

 

據了解,贛州經開區始終把招商引資作為“頭號工程”來抓,圍繞雙首位產業進一步優化投資政策,通過開展小分隊招商、服務產業鏈招商、推進“三請三回”、推行“不見面”招商等進一步創新招商方式,并積極主動對接粵港澳大灣區重點目標企業和世界500強行業知名企業以及雙首位產業全產業鏈企業,持續招才引智,取得了階段性成果。

 

截至目前,贛州經開區共簽約項目93個、簽約資金653.5億元,引進投資1億元以上項目61個,其中引進投資10至50億元的項目14個,投資50至100億元的項目1個,投資100億元以上的項目1個。

 

5、總投資30億元!百識第三代半導體6英寸晶圓制造項目落戶南京浦口

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近日,第31屆中國南京金秋經貿洽談會上,投資30億元的百識第三代半導體6英寸晶圓制造項目成功簽約南京浦口。

 

該項目由南京百識電子科技有限公司建設,總投資30億元,擬用地80畝,建立第三代半導體外延片+器件專業代工,可以承接國內外IDM與designhouse的委托制作訂單,串接國內上下游產業鏈,達到第三代半導體芯片國造的目標,產品主要應用于5G基站、電動車、雷達、快速充電器等。

 

南京百識電子科技有限公司是第三代半導體外延代工服務商,日前宣布超募完成Pre-A輪融資,融資總額過億元人民幣。

 

2019年6月18日,南京百識半導體股份有限公司第三代半導體項目正式簽約落戶南京浦口經濟開發區,而后,百識電子科技成立。該公司專門生產碳化硅及氮化鎵相關外延片,包含GaNonSilicon、GaNonSiC以及SiConSiC,針對高壓、高功率以及射頻微波等應用市場提供專業、高質量的碳化硅及氮化鎵外延代工服務。

 

此前落地的百識第三代半導體項目總投資10億元,項目計劃在浦口經開區投資建設研發中心及生產線,整合海外創新技術與國內產業資源,對第三代半導體碳化硅和氮化鎵外延片設計和管件制程等進行研發,產品可廣泛應用于信息、新能源發電、新能源汽車、無人駕駛、軌道交通和智能電網等領域。

 

6、年產24萬片IGBT,中車株洲汽車用功率半導體生產線投產

 

9月26日,中車株洲所汽車及工業用新一代功率半導體項目成果匯報會在湖南株洲召開,項目首批產品正式下線。

 

功率半導體器件是新能源汽車及其他工業領域重要的基礎性產品,具有安全、環保、高效、低耗等優勢。作為新能源汽車電驅動系統的重要組件,功率半導體器件對汽車電驅的效率、功率密度和可靠性起著主導作用,堪稱“汽車之心”。隨著新能源汽車電驅動的小型化和輕量化趨勢,功率半導體器件需求出現大量增長,成為功率半導體產業的未來市場發展的重要方向之一,其中最先進的功率半導體器件—IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的需求增長最為迅速和強勁。

 

為此,中車株洲所基于其在功率半導體領域多年的積淀,建成以國際一流的第六代IGBT技術為基礎的汽車用功率半導體生產線,形成從設計、制造、封裝與測試等全套能力。該生產線達產后每年將新增24萬片中低壓IGBT的產能,預計可滿足240萬臺新能源汽車的需求,將有力支撐我國新能源產業的蓬勃發展,為我國汽車工業提供新動力。

 

除在新能源汽車領域外,該類功率半導體產品還可以為智能電網、新能源發電、智能家電等工業領域帶來新的發展動力。目前中車株洲所產品已廣泛應用于軌道交通、智能電網、新能源汽車、新能源裝備等領域,為我國“新基建”部署和實施提供基礎支撐和保障。

 

我國每年約消耗全球40%的功率半導體器件,是全球最大的功率半導體需求國,但器件國產化率卻不足10%,此次增產,將進一步完善湖南在功率半導體領域的產品鏈和市場布局,提升國內市場國產功率半導體的市場空間,并強化湖南在全國功率半導體產業領域的核心地位,助力湖南打造國內外有競爭力的功率半導體產業高地。

 

7、Macom推出碳化硅基氮化鎵功率放大器系列

 

在虛擬國際微波研討會(IMS)上,Macom宣布推出全新的碳化硅基氮化鎵功率放大器產品線,并將其品牌定為Macom Pure Carbide。該公司還宣布推出該產品線的前兩款新產品MAPC-A1000和MAPC-A1100。

 

"這一新產品線大大增強了我們現有射頻功率產品組合的能力,"公司總裁兼首席執行官Stephen G. Daly說,"碳化硅基氮化鎵是一項引人注目的技術,我們很高興開始為客戶提供標準和定制的Macom Pure Carbide功率放大器解決方案。"

 

MAPC-A1000是一款高功率碳化硅基氮化鎵放大器,設計工作頻率在30 MHz和2.7 GHz之間,采用表面貼裝塑料封裝。這款易于使用的通用放大器集成了一個輸入匹配器,從而簡化了客戶的設計工作。當在為2.2 GHz同步帶寬而設計的電路中進行測試時,該放大器可在500 MHz至2.7 GHz的范圍內以大于50%的效率提供超過25 W (44dBm)的功率。

 

MAPC-A1100是一款高功率碳化硅基氮化鎵放大器,設計工作頻率高達3.5 GHz。該器件在氣腔陶瓷封裝中能夠支持CW和脈沖操作,輸出功率至少為65 W(48.1dBm)。

 

這兩款新型通用放大器產品是航空電子、高功率移動無線電、無線系統和測試儀器的理想選擇。

 

8、《Nano Letters》:南大制備迄今最薄的單晶雜化鈣鈦礦柔性光電探測器

 

南京大學物理學院彭茹雯教授和王牧教授研究組與北京大學馬仁敏教授研究組等國內外五個單位合作,在柔性光電探測器的相關研究中取得重要進展。通過準靜態溶液生長技術制備出厚度僅為20納米的有機-無機雜化鈣鈦礦單晶薄膜,并基于此研制出超薄的高性能柔性光電探測器,有望推動柔性光電器件和可穿戴設備的發展,應用于仿生學、機器人科學以及醫療保健等領域。該研究成果以"Flexible Ultrathin Single-CrystallinePerovskite Photodetector"為題近日發表于國際著名學術期刊Nano Letters。

 

 

論文鏈接:https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.nanolett.0c02468

 

 

柔性光電探測器是可穿戴設備、可折疊顯示器件、生物醫學成像等系統中至關重要的有源器件。得益于高光學吸收系數、高載流子遷移率、可調節帶隙等特性,有機-無機雜化鈣鈦礦材料在柔性光電器件中的應用已經有不少報道,但是,之前報道的此類器件大多基于多晶的雜化鈣鈦礦材料。與多晶材料相比,單晶雜化鈣鈦礦材料具有陷阱態密度低、載流子壽命長以及結構穩定性高等一系列優點。顯然使用單晶鈣鈦礦材料有望進一步提高器件性能。但是由于單晶鈣鈦礦材料脆性大, 不易彎折,這類材料尚未在柔性光電探測器中得到廣泛應用。

 

最近,彭茹雯教授和王牧教授研究組提出并研制出基于超薄的有機-無機雜化鈣鈦礦單晶薄膜的高性能柔性光電探測器。該研究組首先利用他們早期發展出的準靜態溶液生長方法, 成功制備出有機-無機雜化鈣鈦礦(CH3NH3PbBr3)單晶超薄薄膜,其厚度可以降低至20nm。然后,創新性地構建出基于這種超薄單晶膜的柔性光電探測器(圖一),并證實該光電探測器具有極其優秀的探測性能(圖二)和柔性特征(圖三)。

 

圖一 構建基于超薄單晶有機-無機鈣鈦礦的柔性光電探測器

 

圖二 超薄單晶有機-無機鈣鈦礦光電探測器的光電探測性能

 

 

圖三 超薄單晶有機-無機鈣鈦礦光電探測器的柔性特征和性能穩定性

 

與之前報道的在可見光頻段工作的其它柔性鈣鈦礦光電探測器相比,該雜化鈣鈦礦柔性光電探測器具有以下幾個特點:第一,活性層厚度僅為20nm,是迄今最薄的雜化鈣鈦礦柔性光電探測器;第二,該光電探測器的響應率高達5600 A/W,比此前報道的其它雜化鈣鈦礦柔性光電探測器高出兩個數量級。第三,該光電探測器具有0.2MHz的3dB帶寬,實現了快速的光探測;此外,由于將鈣鈦礦薄膜的厚度降低至20nm,雜化鈣鈦礦在保持高光電轉換效率的同時具有很好的機械柔韌特性,從而該柔性光電探測器在彎曲中能保持穩定的光電探測性能,其光電流和開關比等在彎曲過程中保持基本不變,等等。

 

值得一提的是,這種基于準靜態溶液生長的制備技術可以全程在室溫附近實現,具有簡單的制備程序和低廉的制備成本,研制出的高性能柔性鈣鈦礦光電探測器可望集成于可穿戴設備和其它柔性光電子器件中,比如人造眼、柔性智能手機等等。該項研究豐富了超薄單晶雜化鈣鈦礦材料的制備手段,發展了高性能的雜化鈣鈦礦柔性光電器件,可望推動仿生器件、可穿戴智能設備、可折疊多功能設備等新型集成器件的研制,應用于仿生學、生物傳感以及醫療保健等領域。

 

 

此項工作由南京大學彭茹雯和王牧、北京大學馬仁敏、復旦大學包文中、天津理工大學王迪、南京信息工程大學蘇靜、美國西北大學孫成等國內外六個研究組合作完成。其中,南京大學物理學院應屆博士畢業生景灝完成了大部分工作,他是該論文的第一作者。南京大學彭茹雯教授、北京大學馬仁敏教授和南京大學王牧教授是該論文通訊作者。南京大學物理學院研究生何捷、周易、李成堯、劉雨和應屆博士畢業生朱瑛鶯也參與了該工作。該項研究受到國家重點研發計劃和國家自然科學基金委的資助。來源:南京大學

 

9、四部委:加快在光刻膠等領域實現突破,實施新材料創新發展行動


近日,國家發展改革委、科技部、工業和信息化部、財政部等四部門聯合印發了《關于擴大戰略性新興產業投資 培育壯大新增長點增長極的指導意見》。

 

《指導意見》提出了三方面重點任務:

 

一是聚焦重點產業投資領域。針對新一代信息技術、生物產業、高端裝備制造、新材料、新能源、智能及新能源汽車、節能環保和數字創意八大戰略性新興產業,《指導意見》要求結合當前產業發展的實際情況,聚焦重點方向、關鍵環節和未來趨勢,加快適應、引領、創造新需求,培育新的投資增長點,推動重點產業領域加快形成規模效應,著力培育壯大新增長點增長極。

 

例如,加快新材料產業強弱項方面,要求圍繞保障大飛機、微電子制造、深海采礦等重點領域產業鏈供應鏈穩定,加快在光刻膠、高純靶材、高溫合金、高性能纖維材料、高強高導耐熱材料、耐腐蝕材料、大尺寸硅片、電子封裝材料等領域實現突破。實施新材料創新發展行動計劃,提升稀土、釩鈦、鎢鉬、鋰、銣銫、石墨等特色資源在開采、冶煉、深加工等環節的技術水平,加快拓展石墨烯、納米材料等在光電子、航空裝備、新能源、生物醫藥等領域的應用。

 

二是打造產業集聚發展新高地。《指導意見》提出,構建產業集群梯次發展體系,培育和打造10個具有全球影響力的戰略性新興產業基地、100個具備國際競爭力的戰略性新興產業集群,引導和儲備1000個各具特色的戰略性新興產業生態,形成分工明確、相互銜接的發展格局。適時啟動新一批國家戰略性新興產業集群建設。培育若干世界級先進制造業集群。

 

三是增強資金保障能力。《指導意見》要求從三方面著力做好擴大戰略性新興產業投資的資金保障工作。第一,統籌用好各級各類政府資金、創業投資和政府出資產業投資基金,創新政府資金支持方式;第二,鼓勵金融機構創新開發適應戰略性新興產業特點的金融產品和服務,探索建立新興產業金融服務中心或事業部。優化發行上市制度,加大科創板等對戰略性新興產業的支持力度。第三,依托國有企業主業優勢,引領、帶動各類所有制企業加大戰略性新興產業投資布局力度。鼓勵具備條件的各類所有制企業獨立或聯合承擔國家各類戰略性新興產業研發、創新能力和產業化等建設項目。

 

為進一步擴大戰略性新興產業投資,《指導意見》圍繞優化投資服務環境,提出了四方面政策保障措施。一是深化“放管服”改革,二是優化項目要素配置,三是完善包容審慎監管,四是營造良好投資氛圍。

 

 

10、江寧開發區企業發布6寸碳化硅MOSFET 70mΩ產品

 

9月21日,位于江寧開發區的南京晟芯半導體有限公司、晟芯世科電力電子(南京)有限公司舉辦新品發布會,正式發布公司研制的首款擁有自主知識產權的工業級6寸1200V 70mΩ碳化硅MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。

 

晟芯半導體是一家致力于高效率半導體器件研發生產的企業,落戶江寧開發區以來,通過與國際專業電力電子技術方面的人才合作,自主研發設計以FRD、 MOSFET、IGBT為主要產品的單管及模塊,打造國內領先的功率半導體領域的民族品牌企業。

 

當天發布的新產品,是晟芯世科團隊經過半年多緊張設計與研發的成果,各項性能指標達到預期設計目標,處于國內領先水平。

 

據發布會現場該項目負責人介紹,碳化硅功率半導體產品可以大幅提高功率模塊效率和頻率,從而達到節能的目標,該產品將用于電動汽車、充電樁、車載充電機、UPS、太陽能及風能并網、高鐵、智能電網等,以高性價比、高質量及高技術優勢填補國內碳化硅功率半導體的部分空白市場。

 

?企業負責人介紹,晟芯半導體、晟芯世科電力電子、晟華半導體將積極布局SiC等第三代寬禁帶半導體器件,爭取早日實現工業級(JEDEC)和車規級(AEC Q101)碳化硅(SiC)MOSFET產品量產,致力于成為國際一流的功率半導體芯片設計和封裝測試公司,為國家未來十年的高端芯片以及新能源事業貢獻力量。

 

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