11月23-25日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

24日上午，德國愛思強股份有限公司協辦的“超寬禁帶半導體技術”分會如期舉行。分會期間，日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新，上海光學精密機械研究所研究員夏長泰，湖北大學材料工程學院教授何云斌，西安交通大學副教授李強，鄭州大學教授、河南省電子材料與系統國際聯合實驗室國家電子材料與系統國際聯合研究中心主任劉玉懷，德國愛思強股份有限公司市場和工藝部門經理方子文，山東大學晶體材料國家重點實驗室副教授張雷，中國電科十三所重點實驗室高級工程師王元剛等來自國內外高校、科研院所、企業的精英代表將帶來精彩報告，分享前沿研究成果。中國科學院微電子研究所研究員，中國科學院院士劉明和山東大學晶體材料國家重點實驗室主任、教授陶緒堂共同主持了本屆分會。

日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新分享了超寬帶隙氧化鎵的低溫生長和表征的研究成果。報告分享了氧等離子體輔助PLD低溫生長（AlGa）2O3薄膜。研究了襯底溫度對薄膜結構和光學性能的影響。此外，還將介紹這些超寬氧化物半導體生長的最新進展。

上海光學精密機械研究所研究員夏長泰分享了極寬禁帶半導體氧化鎵單晶摻質之實踐與思考。報告討論了在這一方面的具體實踐，并就其未來發展趨勢予以探討。主要討論氧化鎵的n型新摻質方案及其結果，重點是摻質氧化鎵的基本物理特性及其應用價值。

湖北大學材料工程學院教授何云斌帶來了“高性能基于氧化鎵的日盲光電探測器的開發”的主題報告，從Ga2O3外延薄膜的制備、特性及PDs研究，基于超寬帶隙（ScGa）2O3合金薄膜的UV-PDs等角度分享了最新研究進展。

西安交通大學副教授李強分享了磁控濺射沉積hBN薄膜的最新進展。研究采用射頻濺射法制備了基于hBN/BAlN薄膜的深紫外DBRs。還研究了不同材料氮化硼薄膜的異質結特性。

鄭州大學教授、河南省電子材料與系統國際聯合實驗室國家電子材料與系統國際聯合研究中心主任劉玉懷分享了金剛石襯底上六方相氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延的最新進展。六方相氮化硼和金剛石均為下一代電子器件和光電子器件的優異材料，二者的結合可望帶來更佳特性，但鮮見金剛石上生長六方相氮化硼的報道。研究首次展示利用有機金屬氣相外延方法在金剛石襯底上生長六方相氮化硼薄膜。

德國愛思強股份有限公司市場和工藝部門經理方子文分享了先進的光電、功率和射頻技術解決方案。

山東大學晶體材料國家重點實驗室副教授張雷分享了溫度梯度對PVT法生長AlN晶體的影響，從高純多晶料制備、溫場調控、生長功率對溫度場分布的影響規律、測溫孔對溫度場分布的影響規律、坩堝位置對溫度場分布的影響規律、自發成核生長驗證、籽晶粘結同質生長擴徑、高溫壓電性能研究等角度分享了研究進展。

中國電科十三所重點實驗室高級工程師王元剛帶來了“高性能Ga2O3  SBD功率器件研究”的主題報告，分享了最新研究成果。報告指出，超寬禁帶氧化鎵功率器件兼備高耐壓、低電阻和低成本三重優勢，是未來支撐軌道交通、新能源汽車等產業創新發展和轉型升級的重點核心電子元器件。PECVD淀積介質存在較為嚴重的界面態，場板技術無法充分發揮作用。通過引入熱氧化技術、自對準空氣橋技術以及自氧化P型NiO技術，大幅提升氧化鎵SBD功率器件耐壓性能。探索新型高耐壓終端結構改善器件耐壓、降低比導通電阻、增大器件耐受功率以及尋求器件散熱新途徑是未來氧化鎵功率器件發展的主要攻關方向。
 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）