近日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
期間，由廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司，中電化合物半導(dǎo)體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦的功率電子器件及封裝技術(shù)分會上，北京大學(xué)尹瑞苑博士做了題為“氮化鎵MIS結(jié)構(gòu)界面相關(guān)陷阱態(tài)：物性、表征及模型”的主題報(bào)告，D模式故障中的陷阱、門槽事故中的陷阱、MIS結(jié)構(gòu)建模等角度分享了最新研究成果。
報(bào)告指出，界面性質(zhì)是影響MIS結(jié)構(gòu)的重要因素，可以通過AFM、XPS、TEM、EDX等手段進(jìn)行檢測。邊界陷阱可以通過低頻噪聲、交流gm、準(zhǔn)靜態(tài)電容、閾值電壓漂移測量來評估。同時(shí)考慮溝道電阻和邊界陷阱效應(yīng)的分布式網(wǎng)絡(luò)模型很好地描述了大溝道電阻MIS二極管的阻抗頻散特性。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
