近日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

 

期間，由廣東芯聚能半導體有限公司，中電化合物半導體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦的功率電子器件及封裝技術分會上，中山大學黎城朗分享凹槽深度對GaN槽柵型縱向導通晶體管電學特性的影響研究的最新進展。

在這項工作中，對GaN縱向溝槽MOSFET的凹槽深度參數(shù)進行了系統(tǒng)研究，以進一步改善器件的導通特性。通過仿真探究了凹槽相對pGaN層的位置對導通時溝道下方漂移區(qū)的耗盡層勢壘峰的影響，以及對器件轉移特性、輸出特性和耐壓特性的影響。

結果表明，凹槽深度的增加，可以削弱漂移區(qū)耗盡層勢壘峰對導電通道的影響，使凹槽下方縱向導電通道展寬，減小導通電阻，而閾值電壓基本不變。在器件設計時，需折中考慮凹槽深度增加導致的縱向導電通道展寬與遷移率低下的凹槽界面積累區(qū)長度的增加對導通電阻的影響。這項仿真研究對高性能GaN縱向導通槽柵器件結構設計具有一定的指導作用。
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）