近日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心召開。

 

期間，由廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司，中電化合物半導(dǎo)體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦的功率電子器件及封裝技術(shù)分會(huì)上，浙江大學(xué)特聘副研究員任娜帶來了SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究，分享了近期研究成果介紹，并分享了具體的SiC器件可靠性提升方法。

 

當(dāng)前國際上650V-1200V電壓等級的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3，隨著技術(shù)的發(fā)展，元胞寬度持續(xù)減小，比導(dǎo)通電阻持續(xù)降低，器件性能超越Si器件，可靠性問題有待進(jìn)一步改善。
 

我國SiC器件發(fā)展來看，現(xiàn)階段水平，芯片實(shí)現(xiàn)4英寸小批量量產(chǎn)，采用平面柵結(jié)構(gòu)技術(shù)路線，工藝技術(shù)和器件性能相當(dāng)于國際上一代（Gen 2）的水平。未來發(fā)展方向：急需攻關(guān)6英寸SiC材料生長技術(shù)以及6英寸晶圓量產(chǎn)，溝槽柵工藝和先進(jìn)柵氧工藝技術(shù)，并全面提升器件的可靠性。

SiC MOSFET器件目前仍然存在一系列可靠性問題，比如閾值電壓漂移現(xiàn)象，短路承受時(shí)間較短，雪崩耐量較低，浪涌電流承受能力較差等。

器件技術(shù)迭代發(fā)展，器件可靠性提升方法，涉及結(jié)構(gòu)優(yōu)化、工藝改進(jìn)、散熱優(yōu)化等三要素。

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）