近日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

 

期間，由廣東芯聚能半導體有限公司，中電化合物半導體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦的功率電子器件及封裝技術(shù)分會上，中國電子科技集團第五十五研究所高級工程師、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室李士顏分享了碳化硅功率MOSFET研究進展，包括當前市場及應(yīng)用，發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢、關(guān)鍵技術(shù)等內(nèi)容。

 

對比Si IGBT：開關(guān)損耗優(yōu)勢顯著，導通損耗也更低。對比Si MOSFET：比導通電阻低，而且全溫度區(qū)間變化小。商用SiC肖特基二極管于2001、SiC MOSFET 2011年推出，目前已進入商業(yè)推廣階段。SiC MOSFET市場規(guī)模提升迅速，已超過SiC肖特基二極管，2024年市場占比將達70%以上。主要應(yīng)用1700V以下中低壓器件，目前650V器件市場占比超過60%。功率模塊成為SiC MOSFET器件重要的產(chǎn)品應(yīng)用形式，占比不斷提升。
 

PFC和電源應(yīng)用市場規(guī)模約1.5億美元/年，約占整個分立器件市場的1/3。具有提高效率、降低損耗、縮小電源模塊尺寸、降低EMI的優(yōu)勢。光伏逆變器應(yīng)用市場規(guī)模約1億美元/年，未來幾年仍將保持較高的增長率。具有提高效率、降低重量、減小體積、降低EMI等應(yīng)用優(yōu)勢。電動汽車應(yīng)用市場規(guī)模將是未來幾年SiC器件市場增長的最主要動力，具有提高續(xù)航能力、降低系統(tǒng)成本及使用成本、降低CO2排放等應(yīng)用優(yōu)勢。
 

新能源汽車是SiC產(chǎn)業(yè)機遇，豐田、大眾、日產(chǎn)、本田、比亞迪等公司也都將SiC功率器件，作為未來新能源汽車電機控制器首選解決方案。其他還有比如軌道交通、輸變電系統(tǒng)、航天器、軍事應(yīng)用等重大應(yīng)用需求。

報告指出，國際上SiC電力電子器件技術(shù)處于快速發(fā)展期，快速推進新能源汽車等領(lǐng)域的批量應(yīng)用。國基南方SiC G1DMOS技術(shù)初步建立，正在進行650-1700V產(chǎn)品的市場推廣，提升穩(wěn)定供貨能力。
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）