近日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

 

期間，由廣東芯聚能半導體有限公司，中電化合物半導體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協辦的功率電子器件及封裝技術分會上，日本豐田汽車公司功率半導體顧問、PDPlus LLC總裁、ISPSD2021大會主席濱田公守帶來了超窄體（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑戰性結構的主題報告，分享了最新的研究成果。

UNB-MOSFET:sicmosfet是一種側壁具有橫向傳導特性的橫向溝道sicmosfet。p-體被設計成非常窄，以避免在其體中形成任何耗盡區。該結構類似于FinFET結構，應用于4H-SiC-MOSFET。制備的UNB MOSFET溝道區的體寬為55nm。UNB結構顯著提高了遷移率，達到200cm2/Vs以上。結果表明，FinFET效應非常顯著，導致了非常高的遷移率，從而顯著提高了sicmosfet的溝道電阻。

 

GND-MOSFET:4H-SiC溝道MOSFET采用溝柵自對準技術在溝道下形成窄而深的p層，實現了高擊穿電壓、低導通電阻和低DS泄漏電流。該MOSFET的bvds為1080v，Ron，sp在25℃時為1.19mΩcm2，175℃時為2.04mΩcm2，Vth為4.0v，在900v（□9.6mm）時Idss為50na。通過闡明注入缺陷對漏電流的影響，采用一種簡單的工藝實現了該結構，在所有注入步驟中均采用低溫注入。
 

Kimimori HAMADA于1985年加入豐田汽車公司，1987年作為最初成員之一參與了TMC的內部半導體項目。負責功率MOSFET，BiCDMOS，IGBT和SiC MOSFET的器件開發。為豐田Prius混合動力汽車開發了所有IGBT器件。目前擔任功率半導體顧問，并且是PDPlus LLC的總裁。他是日本電氣工程師學會（IEEJ），日本汽車工程師學會（JSAE）和IEEE的成員。
 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）