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光芯片廠商源杰半導(dǎo)體擬A股IPO 已獲得華為哈勃等機構(gòu)投資

日期:2021-02-01 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:456
核心提示:陜西監(jiān)管局披露了國泰君安證券股份有限公司關(guān)于陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡稱:源杰半導(dǎo)體)輔導(dǎo)備案申請報告。
 近日,陜西監(jiān)管局披露了國泰君安證券股份有限公司關(guān)于陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡稱:源杰半導(dǎo)體)輔導(dǎo)備案申請報告。
 
資料顯示,源杰半導(dǎo)體聚焦光通信行業(yè),主營業(yè)務(wù)為激光器芯片的研發(fā)、設(shè)計與銷售。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于光纖到戶、數(shù)據(jù)中心與云計算、5G 移動通信網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等科技前沿領(lǐng)域,成功實現(xiàn)了2.5G、10G及25G分布反饋(DFB)激光器芯片的量產(chǎn),并得到國內(nèi)多家光通信行業(yè)公司認證通過。
 
憑借在DFB激光器芯片領(lǐng)域研發(fā)經(jīng)驗和關(guān)鍵核心技術(shù)的多年積累,公司率先在國內(nèi)量產(chǎn)25G DFB激光器芯片,形成國產(chǎn)化面向光纖到戶激光器芯片等產(chǎn)品,科技創(chuàng)新能力突出;公司產(chǎn)品的技術(shù)先進性、市場覆蓋率和性能穩(wěn)定性位居行業(yè)前列。公司是國內(nèi)領(lǐng)先的光通信激光器芯片制造商,為光纖到戶激光器芯片的領(lǐng)導(dǎo)者、 5G建設(shè)激光器芯片的引領(lǐng)者和數(shù)據(jù)中心與云計算接入芯片的開拓者。
 
目前,源杰半導(dǎo)體光芯片產(chǎn)品獲得下游客戶的高度認可,包括中際旭創(chuàng)、博創(chuàng)科技等國內(nèi)知名光模塊廠商,高速率激光器芯片產(chǎn)品獲得通信設(shè)備商華為的驗證通過,并進入其供應(yīng)鏈體系開始批量供貨。
 
值得注意的是,華為旗下哈勃投資也對源杰半導(dǎo)體進行投資。據(jù)天眼查顯示,2020年9月,哈勃投資對源杰半導(dǎo)體進行投資,這是哈勃投資在西安投資的第1家半導(dǎo)體芯片企業(yè)。
 
哈勃投資是華為全資子公司,專注半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈投資。成立一年多以來,哈勃投資已經(jīng)陸續(xù)投資了杰華特微電子、東微半導(dǎo)體、縱慧芯片、裕太微電子、山東天岳等18家企業(yè),從其被投企業(yè)主要產(chǎn)品來看,覆蓋了第三代半導(dǎo)體(碳化硅)、晶圓級光芯片、電源管理芯片、時鐘芯片、射頻濾波器、人工智能等多個領(lǐng)域。

市場潛力大,9.5億元投資項目正在建設(shè)
 
5G當(dāng)口,流量激增,為光通信賦予廣闊的市場空間——海量的數(shù)據(jù)需要高速光通信模塊,搭載高速激光芯片進行傳輸。根據(jù)工信部和中國電子元件行業(yè)協(xié)會發(fā)布《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖(2018-2022年)》,明確部分高端光芯片產(chǎn)品逐步實現(xiàn)國產(chǎn)替代的目標(biāo)。
 
隨著光通信行業(yè)的發(fā)展, 光器件的需求也不斷增長, 根據(jù)LightCounting 預(yù)測,2019 年至2023 年,全球光器件市場規(guī)模將從70 億美元增長至120 億美元,預(yù)計年均復(fù)合增長率為14.42%。
 
頭豹研究院研報顯示,2014年至2018年,我國光通信芯片行業(yè)市場規(guī)模從7.1億美元增長至12.9億美元,年均復(fù)合增長率約為16%,預(yù)計2021年將增長至23億美元。
 
目前,陜西源杰已經(jīng)形成了MOCVD外延生長、晶圓生產(chǎn),以及芯片全自動測試生產(chǎn)線。2020年6月,源杰半導(dǎo)體宣布實現(xiàn)量產(chǎn)12波25G MWDM激光器芯片,被視為業(yè)內(nèi)一大突破。這一芯片將被用于5G基站CRAN前傳網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中,以支持5G快速建設(shè)。去年2月,源杰半導(dǎo)體出資150萬美元,將與博創(chuàng)科技、Sicoya三方成立中外合資公司,提前為硅光子技術(shù)布局。
 
據(jù)了解,2021年1月8日,源杰半導(dǎo)體對位于西咸新區(qū)灃西新城的二期工廠——光電通訊半導(dǎo)體芯片和器件研發(fā)生產(chǎn)基地生產(chǎn)線及相關(guān)配套設(shè)施,正進行環(huán)評公示。園區(qū)占地面積約為2.5萬平方米,項目投資總額約9.5億元。項目建成后將形成晶圓制造——芯片制造連貫生產(chǎn)線,并具備封裝、測試研發(fā)等能力。
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