3月3日，上海臨港新片區發布了集成電路產業專項規劃（2021-2025）。

 

 

規劃提出，為進一步提升臨港新片區集成電路產業能級，推動更多集成電路產業資源和創新要素向臨港集聚，建設世界級的“東方芯港”，現依據《中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區總體方案》、《臨港新片區創新型產業規劃》、《臨港新片區前沿產業發展“十四五”規劃》，制定本規劃。

 

規劃提出，到2025年，推進重大項目落地建設，基本形成新片區集成電路綜合性產業創新基地的基礎框架；到2035年，構建起高水平產業生態，成為具有全球影響力的“東方芯港”。

 

具體而言，規劃提出的發展目標包括產業規模、技術創新等5大方面。

 

在產業規模方面，到2025年，集成電路產業規模突破1000億元，芯片制造、裝備材料主導地位進一步加強，芯片設計、封裝測試形成規模化集聚。

 

技術創新上，到2025年，先進工藝、成熟工藝、特色工藝進入國際前列，EDA工具、光刻膠、大硅片等關鍵“卡脖子”技術產業化取得突破，2種以上關鍵裝備進入全球領先制造企業采購體系。

 

企業培育方面，到2025年，引進培育5家以上國內外領先的芯片制造企業；形成5家年收入超過20億元的設備材料企業；培育10家以上的上市企業，圍繞5G、CPU、人工智能、物聯網、無人駕駛等細分領域發展壯大一批獨角獸設計企業。

 

此外，在人才集聚方面，規劃提出要匯聚超過2-5萬名碩士以上學歷的集成電路從業人員。

 

高質量發展上，園區集成電路產業投資強度1500萬元/畝，產出強度1500萬元/畝。

 

根據規劃提出的主要任務，未來將圍繞產業鏈高端、關鍵環節積極引進一批技術含量高、投資強度大、引領帶動強的重大項目，支撐新片區集成電路產業高質量發展。

 

其中，在芯片制造上，積極對接引進國內最先進工藝線放大項目，推進磁存儲器（MRAM）、3DNAND、半浮柵等新型存儲項目落地，提升新片區芯片制造產業能級，夯實產業基礎。打造國內特色工藝生產高地，堅持市場需求與技術開發相結合，推動BCD、IGBT、CIS、MEMs等特色工藝研發與產業化，支持細分領域IDM項目建設。

 

推動化合物半導體產業實現由國內引領向國際領先跨越。推進6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工藝線建設，面向5G、新能源汽車等應用場景，加快化合物半導體產品驗證應用。

 

此外，任務還包括構建芯片裝備材料硬核產業集群：積極引進海內外裝備、材料龍頭企業，圍繞重點企業、重點項目，加快布局建設完善的零部件供應體系，打造新片區集成電路裝備、材料產業硬核產業集群。

 

推動集成電路裝備產業規模化發展，重點支持12英寸高端刻蝕、清洗、離子注入、光刻、薄膜、濕法、熱處理以及光學量測等設備的研發和產業化；支持硅材料產業做大作強，繼續提升12英寸大硅片技術與產能；積極引進國內外光刻膠、掩膜板、第三代半導體等材料企業，加強關鍵材料的本地化配套能力。

 

規劃提出，將重點支持：

 

一是EDA設計工具及關鍵IP，積極引進國內外EDA工具/IP企業，支持EDA工具/IP企業與龍頭設計、代工企業合作開發工藝套件，支持針對汽車電子、5G、工業互聯網等重點領域的EDA工具/IP開發；

 

二是智能網聯新能源汽車、工業互聯網、高端裝備等臨港重點產業配套關鍵核心芯片，圍繞重點企業加強供應鏈安全需求，推動自主核心芯片研發，打造系統解決方案；

 

三是高端芯片，面向AI、5G射頻、功率芯片、相變存儲器（PCRAM）、阻變存儲器（RRAM）等上海尚未有顯著布局的新興領域實現增量發展；

 

四是智能傳感芯片，聚焦物聯網及智能終端、無人駕駛、智慧醫療、工業互聯網等重點應用領域，推動自主智能傳感器產品創新及商業化應用。