專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種新型襯底及其氧化物半導體場效應(yīng)晶體管所述新型襯底為砷化鎵通過注入鋁離子形成所述鋁離子注入能量為100KeV～1000KeV，所述氫離子注入濃度為1.00E+12～9.00E+14，所述鋁離子注入溫度為35℃～350℃。所述氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，包括所述新型襯底，還包括第一布拉格反射層、隔離層、第二布拉格反射層、接觸層。實驗表明，本發(fā)明的氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，與現(xiàn)有氧化物半導體場效應(yīng)晶體管相比，可有效減少耗電量20?30％，顯著增加電導通效率15?20％，也可有效增強導熱特性，從而提高使用壽命，還省電。

天眼查資料顯示，蘇州無熱芯陽半導體有限公司，成立于2023年，位于蘇州市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本500萬人民幣，實繳資本200萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，蘇州無熱芯陽半導體有限公司專利信息2條，此外企業(yè)還擁有行政許可5個。