2025年4月29日，由廈門市三安集成電路有限公司牽頭起草的T/CASAS 057—202X《高頻開關應用下GaN功率器件開關運行狀態可靠性試驗方法》以及由蘇州晶湛半導體有限公司牽頭起草的T/CASAS 060—202X《功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片》已完成征求意見稿的編制，正式面向第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員單位征求意見，為期一個月。根據聯盟標準化工作管理辦法，2025年4月29日起開始征求意見，截止日期2025年5月29日。

征求意見稿已經由秘書處郵件發送至聯盟成員單位；非聯盟成員單位如有需要，可發郵件至casas@casa-china.cn。 

征求意見標準列表（No.2）

T/CASAS 057—202X《高頻開關應用下GaN功率器件開關運行狀態可靠性試驗方法》 

本文件規定了用于評估高頻開關應用下（頻率≥100kHz）GaN功率器件開關運行狀態可靠性試驗方法，用以表征及評估GaN功率器件在連續開關應力作用下器件的退化及失效，以確保其以快充適配器代表的典型應用領域下穩定運行，實現系統整體性能的提升。 

本文件適用于進行GaN 功率器件的生產研發、特性表征、量產測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。可應用于以下器件：

1） GaN增強型（E-Mode）和耗盡型（D-Mode）分立功率電子器件；

2） GaN功率集成器件和共源共柵GaN功率器件；

3） 以上的晶圓級及封裝級產品。 

T/CASAS 060—202X《功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片》 

本文件規定了功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片的分類和標記、要求、試驗方法、檢測規則、標志、包裝、運輸和儲存。 

本文件適用于功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片。產品主要用于制作功率半導體及電子器件。