4月27日，中國有色金屬工業協會在無錫組織召開科技成果評價會。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集團周旗鋼教授以及來自東南大學，南京航空航天大學，浙大科創中心等的五位專家組成的專家組，對由連科半導體有限公司等單位完成的兩項科技成果進行了評價。

胡動力博士匯報碳化硅電阻爐項目專家組一致認為，“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術” 項目，聯合了浙江大學等單位，在行業首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區熱場結構，加熱功率下降35%，降低到28Kw；開發了高精度控制軟件，實現了對氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩定生長，技術難度大、復雜程度高。在多家碳化硅襯底企業推廣應用后，經濟、社會效益顯著，助力客戶生長8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達到5cm以上。項目整體技術達到國際領先水平。

8吋區熔爐項目匯報“200mm 區熔硅單晶爐成套技術”項目，獨創了下主軸與密封內襯分別由伺服電機驅動并同步耦合控制的技術，及第二相機測量熔化流量的控制新思路，攻克了主軸高精密加工和裝配問題。形成了關鍵技術-樣機示范-產業化應用的全鏈條技術體系。技術難度大、復雜程度高。項目技術已在有研半導體硅材料股份公司成功投產并穩定運行，技術重現性好、成熟度高。項目整體技術達到國際領先水平。

專家組成員合影連科半導體有限公司自成立以來，一直致力于半導體設備的研發與制造，多項成果處于行業先進水平，獲得天岳首屆優秀供應商和SEMI可持續發展杰出貢獻獎。此次兩項科技成果獲得國際領先的鑒定，是對公司研發實力和技術水平的高度認可。來源：連科半導體官微