近日，九峰山實驗室（JFS Lab）向各科研機構(gòu)提供氧化鎵”Coupon to wafer”流片研發(fā)平臺，同時提供多種科研級功率器件封裝單管。包括JFS創(chuàng)新的Planar SBD、Trench SBD（肖特基勢壘二極管）器件和平面MOSFET器件。它們都是基于全氧化鎵材料制造，標志著JFS Lab在氧化鎵半導(dǎo)體器件研發(fā)工藝平臺有了較好的技術(shù)積累。此次發(fā)布的SBD和MOSFET科研級封裝器件旨在滿足客戶對氧化鎵器件的測試、分析及應(yīng)用探索需求，進一步推動氧化鎵行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
00 JFS Ga2O3 “coupon to wafer”技術(shù)流片平臺
JFS Ga2O3 “coupon to wafer”技術(shù)，實現(xiàn)小尺寸WBG材料在6/8寸量產(chǎn)型Fab線上開發(fā)和小批量生產(chǎn)，讓小尺寸材料也能采用6/8寸高精度穩(wěn)定性工藝設(shè)備批量制造。同時，未來可實現(xiàn)WBG器件和硅CMOS邏輯控制的異質(zhì)集成，擴展多材料多功能集成技術(shù)，同步提升氧化鎵器件的散熱能力。
1 Planar SBD
產(chǎn)品亮點與特性
JFS Lab此次推出的Planar SBD器件制造簡單，具有較大的正向電流密度和高反向電壓，專為研究氧化鎵器件電學(xué)性能及早期應(yīng)用探索而設(shè)計。
•規(guī)格：電極尺寸為110*110 (μm2)，2*2(mm2)等多種規(guī)格及定制化需求，可為客戶提供bare die和封裝形式的器件，適用于特定測試及應(yīng)用場景。
02 Trench SBD
產(chǎn)品亮點與特性
JFS Lab特有IP兩級溝槽SBD結(jié)構(gòu)，更好的肖特基區(qū)掩蔽，增強可靠性同時保持較好的電流通路和正向?qū)芰?/span>，核心專利包括CN113990801A，CN119486231A，CN116207164A等。
•規(guī)格：電極尺寸為2.5*2.5 (mm2)，可為客戶提供bare die和封裝形式的器件，適用于特定測試及應(yīng)用場景。
03 Planar MOSFET
產(chǎn)品亮點與特性
JFS Lab首個通過氮注入形成高阻區(qū)構(gòu)造柵極電場掩蔽結(jié)構(gòu)的垂直MOSFET，具備未來實際應(yīng)用中高可靠性柵極電場保護（氧化鎵中臨界電場理論上可達8MV/cm，遠高于SiC的3MV/cm），獨有IP系列知識產(chǎn)權(quán)，核心專利CN116705616A。
•規(guī)格：測試樣品（僅4個cell）電極極尺寸為250*250 (μm2)，后期逐步推出大電流規(guī)格芯片（5-20A），可為客戶提供bare die和封裝形式的器件，適用于特定測試及應(yīng)用場景。
04 器件封裝
封裝形式：TO金屬封裝
咨詢及購買聯(lián)系方式：wangkuan@jfslab.com.cn
