一、研究所簡介
1956年，在新中國首個中長期科學技術發展的綱領性文件——《1956-1967年科學技術發展遠景規劃》中，半導體科學技術被確立為國家新技術發展的四大緊急措施之一。為奠定中國半導體科學技術研究的基石、構建系統化的研發體系，我國于1960年9月在北京成立中國科學院半導體研究所(Institute of Semiconductors, CAS)，開啟了中國半導體科學技術的發展之路。
建所65年來，半導體研究所在我國半導體科技發展的各個歷史階段均做出了重大貢獻，取得了令人矚目的成就：中國第一根鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶，第一只鍺晶體管、硅平面晶體管，第一塊集成電路，第一臺硅單晶爐、區熔爐等，均誕生于半導體研究所。研究所共獲得國家級獎勵近40項，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術獎。
半導體研究所作為集半導體物理、材料、器件研究及系統應用為一體的國家級綜合性研究機構，擁有兩個全國重點實驗室——光電子材料與器件全國重點實驗室、半導體芯片物理與技術全國重點實驗室；兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；一個院級實驗室——中國科學院固態光電信息技術重點實驗室；還設有納米光電子實驗室、人工智能與高速電路實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室、寬禁帶半導體研發中心、光電子工程中心、半導體集成技術工程研究中心和元器件檢測中心。現有職工700余人，其中包括中國科學院院士8名，中國工程院院士1名，高層次引進人才計劃入選者53人，國家級領軍人才計劃入選者27 人，國家級青年人才計劃入選者17人。研究所設有3個博士后流動站，擁有8個學術型學科專業博士和碩士培養點，以及2個專業學位領域培養點。作為中國科學院大學材料科學與光電技術學院的主辦單位，研究所主辦的“材料科學與工程”學科入選國家一流學科。
光電子材料與器件全國重點實驗室簡介
光電子材料與器件全國重點實驗室依托于中國科學院半導體研究所，于2024年底獲科技部批復。
使命定位：面向光電子材料與器件前沿領域，聚焦異質異構集成、多維光電調控與多功能一體化等關鍵技術，開展前瞻性與原創性研究，構建“產-學-研”融合科技攻關聯合體，滿足國家光通信領域對高端光電子材料與器件的重大需求。
特色成果：長期深耕光電子材料與器件前沿，構建了貫穿半導體光電子“機理-材料-芯片-器件-應用”全鏈條研發體系。材料體系涵蓋InP、GaAs、GaSb、硅基、鐵電等Ⅲ-Ⅴ族化合物及新型半導體材料。在半導體激光器、調制器、探測器及光子集成等核心光電子材料與器件領域長期處于國內領先、國際先進水平。目前已經形成從材料外延、器件制備、芯片集成、封裝測試到系統應用的自主可控技術體系，是我國光電子材料與器件領域的核心研究單元。
實驗室誠邀半導體科學與技術相關領域，包括半導體材料與器件、半導體光電子學、微電子學與固體電子學、物理電子學、集成電路科學與工程、光學工程、電路與系統、電子信息等學科方向的優秀人才加入。
精通上述方向中一項者皆可加入，具有交叉科研背景優先，以個人強項融入團隊研發，相互學習多學科最新技術，在項目中拓展個人研究領域與能力。
招聘崗位
（一）優秀人才A類崗位
1．崗位要求
（1）原則上年齡不超過50周歲。
（2）海外申請人應具有在海外知名科研機構、高校或大型企業研發機構等擔任教授或相當崗位的任職經歷。特別優秀或急需者，可放寬至副教授或相當崗位的任職經歷。
國內申請人應具有在國內知名科研機構、高校或大型企業研發機構等擔任三級（含）以上教授或相當崗位的任職經歷，是國內相關領域優秀的學術技術帶頭人。
（3）引進后需全職到崗工作。
2．崗位待遇
（1）聘任為研究員（正高級編制崗位)、博士生導師。可加入建制化國家級研究團隊，或獨立設立課題組、研究所協助建立研究團隊。
（2）1000-1600萬元科研經費。
（3）提供具有國際競爭力的薪酬待遇，年薪70萬元/年以上；
（4）除中國科學院200萬元生活補貼外，研究所提供租房補貼、特殊人才津貼、住房補貼等各項津補貼以及全方位的福利保障。
（5）其他支持：提供科研所需的辦公和實驗用房；享受人才長租房，提供直至退休的人才長租房政策；按照相關政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學等。
（二）優秀人才B類崗位
1．崗位要求
（1）原則上年齡不超過40周歲。
（2）海外申請人應具有取得博士學位后在海外知名科研機構、高校或大型企業研發機構連續不少于3年（含）的科研工作經歷（在海外取得博士學位且特別優秀或急需者，海外工作年限可適當放寬）。通過國家或單位派出赴海外學習工作的，申請項目時應妥善處理與原派出單位人事和經濟關系。
國內申請人（院外）應具有取得博士學位后在知名科研機構、高校或大型企業研發機構不少于3年（含）的科研工作經歷，或具有擔任副教授或相當崗位的任職經歷。
本所特別研究助理申請人應獲得過“特別研究助理資助項目”支持，并在我所具有不少于3年（含）的特別研究助理工作經歷，且取得由院外單位頒發的博士研究生畢業證書和博士學位證書（不包含我院與院外單位聯合培養博士研究生）。
（3）引進后需全職到崗工作。
2．崗位待遇
通過研究所招聘后全職到崗的Ｂ類崗位備案人才，可享受如下待遇：
（1）聘為副高一級編制崗位，享受正高四級的崗位津貼。
（2）100萬元科研啟動經費。
（3）提供有競爭力的薪酬待遇。
（4）其他支持：提供科研所需的辦公和實驗用房；享受人才長租房和租房補貼；按照相關政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學等。
通過擇優正式入選中國科學院相關人才計劃的Ｂ類崗位人才，可增加如下待遇：
（1）聘為研究員崗位（正高級編制崗位)，博士生導師，協助建立研究團隊。
（2）300-900萬元科研經費（含項目評估優秀追加200萬元）。
（3）提供有競爭力的薪酬，年薪40萬元/年以上。
（4）除中國科學院100萬元生活補貼外，研究所提供租房補貼、特殊人才津貼、住房補貼等各項津補貼以及全方位的福利保障。
（三）優秀青年人才崗位
1．崗位要求
申請人需符合國家自然科學基金優秀青年科學基金項目（海外）項目指南的要求：
（1） 遵守中華人民共和國法律法規，具有良好的科學道德，自覺踐行新時代科學家精神；
（2） 年齡在40歲以下；
（3） 具有博士學位；研究方向主要為自然科學、工程技術等；
（4） 在取得博士學位后，一般應在海外知名高校、科研機構、企業研發機構獲得正式教學或者科研職位，且具有連續36個月以上工作經歷；在海外取得博士學位且業績特別突出的，可適當放寬工作年限要求，在海外工作期間，同時擁有境內帶薪酬職位的申請人，其境內帶薪酬職位的工作年限不計入海外工作年限；
（5） 取得同行專家認可的科研或技術等成果，且具有成為該領域學術帶頭人或杰出人才的發展潛力；
（6） 申請人尚未全職回國（來華）工作，或者回國（來華）工作不滿一年。獲資助通知后須辭去海外工作并全職回國（來華）工作不少于3年。
詳細申報條件請參見網址：
*國家自然科學基金優秀青年科學基金項目（海外）項目指南
（https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info94490.htm）
2．崗位待遇
（1）聘任為研究員（正高級編制崗位)、博士生導師。可加入建制化國家級研究團隊，或獨立設立課題組、研究所協助建立研究團隊。
（2）900萬元以上的科研經費（含項目評估優秀追加200萬元）。
（3）提供具有國際競爭力的薪酬待遇。
（4）除國家和中國科學院100萬元生活補貼外，研究所提供租房補貼、特殊人才津貼、住房補貼等各項津補貼以及全方位的福利保障。
（5）其他支持：提供科研所需的辦公和實驗用房；享受人才長租房，提供直至退休的人才長租房政策；按照相關政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學等。
申請程序
（一）招聘崗位全年有效。歡迎來電來信咨詢，并將個人簡歷、已取得的代表性成果證明材料、今后的工作計劃等發送至：oematdev@semi.ac.cn ；
（二）通過答辯的申請人與半導體所簽訂工作意向協議書/聘用合同，依托半導體研究所申報中國科學院引才計劃，或者申報國家自然科學基金優秀青年科學基金項目（海外）。
聯系方式
地 址 北京市海淀區清華東路甲35號 （郵編：100083），
中國科學院半導體研究所人事教育處
聯系人
光電子材料與器件全國重點實驗室辦公室
陸老師、張老師
郵 箱 oematdev@semi.ac.cn
電 話 86-10-82304100
（來源：中國科學院半導體研究所）
