2025年4月29日，由北京華峰測(cè)控技術(shù)股份有限公司牽頭起草的3項(xiàng)SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見(jiàn)稿的編制，正式面向第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員單位征求意見(jiàn)，為期一個(gè)月。根據(jù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2025年4月29日起開(kāi)始征求意見(jiàn)，截止日期2025年5月29日。

征求意見(jiàn)稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。

征求意見(jiàn)標(biāo)準(zhǔn)列表（No.1）

T/CASAS 038—202X《SiC MOSFET非鉗位電感開(kāi)關(guān)（UIS）測(cè)試方法》 

本文件規(guī)定了SiC MOSFET非鉗位電感開(kāi)關(guān)（UIS）的測(cè)試方法，包括單脈沖雪崩擊穿能量（EAS）和重復(fù)雪崩擊穿能量（EAR）的測(cè)試原理、測(cè)試流程、數(shù)據(jù)記錄和處理等內(nèi)容。 

本文件適用于SiC MOSFET分立器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、實(shí)驗(yàn)室研發(fā)等階段的UIS測(cè)試。對(duì)于SiC MOSFET功率模塊，可在將單管封裝成模塊前參照本文件對(duì)單管進(jìn)行測(cè)試。

T/CASAS 039—202X《SiC MOSFET單管功率器件短路可靠性測(cè)試方法》 

本文件規(guī)定了SiC MOSFET單管功率器件短路可靠性的測(cè)試方法，包括Ⅰ類、Ⅱ類、Ⅲ類短路的測(cè)試原理、測(cè)試流程、數(shù)據(jù)記錄和處理等內(nèi)容。 

本文件適用于SiC MOSFET單管功率器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、實(shí)驗(yàn)室研發(fā)等階段的短路可靠性測(cè)試。

T/CASAS 040—202X《SiC MOSFET功率模塊短路可靠性測(cè)試方法》 

本文件規(guī)定了SiC MOSFET功率模塊短路可靠性測(cè)試方法，包括測(cè)試原理、測(cè)試流程、數(shù)據(jù)記錄和處理等內(nèi)容。

 本文件適用于SiC MOSFET功率模塊在FT（Final Test）、實(shí)驗(yàn)室研發(fā)等階段的短路可靠性測(cè)試。

北京華峰測(cè)控技術(shù)股份有限公司

北京華峰測(cè)控技術(shù)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華峰測(cè)控”），作為國(guó)內(nèi)最早進(jìn)入半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)的企業(yè)之一，已在行業(yè)深耕近三十年，始終聚焦于模擬和混合信號(hào)測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域。 

華峰測(cè)控憑借產(chǎn)品的高性能、易操作和服務(wù)優(yōu)勢(shì)等特點(diǎn)，在模擬及數(shù)模混合測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域多次打破了國(guó)外廠商的壟斷地位，在營(yíng)收和品牌優(yōu)勢(shì)方面均已達(dá)到了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。華峰測(cè)控產(chǎn)品不但在中國(guó)境內(nèi)批量銷售，還外銷至中國(guó)臺(tái)灣、美國(guó)、歐洲、韓國(guó)、日本及東南亞等境外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)達(dá)地區(qū)。截至2024年5月底，華峰測(cè)控產(chǎn)品全球累計(jì)裝機(jī)量突破7000臺(tái)。 

華峰測(cè)控目前已成為國(guó)內(nèi)前三大半導(dǎo)體封測(cè)廠商模擬測(cè)試領(lǐng)域的主力測(cè)試平臺(tái)供應(yīng)商，擁有著上百家集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)客戶資源，同時(shí)也與超過(guò)三百家以上的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)保持著緊密的業(yè)務(wù)合作關(guān)系。未來(lái)，中國(guó)自主芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展將為華峰測(cè)控高速、持續(xù)的成長(zhǎng)提供重大發(fā)展機(jī)遇。