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高純硅粉制備氮化硅陶瓷

日期:2025-04-30 閱讀:223
核心提示:氮化硅陶瓷具有硬度高、機械強度高、耐高溫、熱穩定性好、介電常數和介質損耗低、耐磨損、耐腐蝕等優異性能,是綜合性能優良的陶

氮化硅陶瓷具有硬度高、機械強度高、耐高溫、熱穩定性好、介電常數和介質損耗低、耐磨損、耐腐蝕等優異性能,是綜合性能優良的陶瓷材料。高純硅粉是制備氮化硅陶瓷的主要原料之一,其純度和粒度等特性對氮化硅陶瓷的性能有著關鍵影響。高純度的硅粉可以減少雜質對陶瓷性能的不利影響,而合適的粒度分布有助于提高反應活性和陶瓷的致密度。

制備工藝

硅粉氮化:在氮氣環境下,將高純硅粉放入高溫反應爐中,硅粉與氮氣發生反應生成氮化硅,化學反應方程式為3Si + 2N2 = Si3N4。一般控制硅粉中Fe、O、Ca等雜質含量小于2%,加熱溫度在1400℃左右。在1200 - 1300℃時生成的a-Si3N4含量高,但產物較為粗大,通常需要經過破碎 — 研磨等后加工處理,以生產出質量合格的氮化硅超細粉。為避免雜質污染,在破碎和研磨設備與氮化硅粉體接觸的部件可使用氮化硅陶瓷件代替金屬機械部件。

成型:常見的氮化硅陶瓷成型方式有多種,如流延成型。先在陶瓷粉體中加入分散劑球磨,使溶劑潤濕粉體,避免顆粒團聚;然后加入粘結劑和增塑劑,通過二次球磨獲得穩定性好、均一的漿料;再將漿料進行真空脫泡,獲得黏度合適的漿料;經過過濾以及靜置陳化,使漿料更穩定;最后通過流延機流延成具有一定面積的平整素坯膜,干燥后得到厚膜生坯。

燒結:氮化硅陶瓷通常采用液相燒結來制備致密的陶瓷。常見的燒結方式包括氣壓燒結(GPS)等。氣壓燒結是把氮化硅壓坯放在5 - 12MPa的氮氣中,在1800 - 2100℃下進行燒結。施加較高的氮氣壓可抑制高溫下氮化硅的分解,提高燒結溫度,促進材料的致密化,有利于選用能形成高耐火度晶間相的助燒劑來提升材料的高溫性能。

碳化硅陶瓷的性能特點

碳化硅陶瓷具有高硬度、高耐磨性、高熱導率、耐高溫、抗氧化以及良好的化學穩定性等特點,在高溫結構材料、耐磨材料、熱交換器等領域有著廣泛的應用。

高純硅粉的作用

高純硅粉與碳粉混合后作為原料,硅粉在反應中提供硅元素,與碳發生反應生成碳化硅,其純度和粒度影響著碳化硅陶瓷的相組成、微觀結構和性能。

制備工藝

原料混合:將高純硅粉與碳粉按照一定的比例充分混合。為了保證混合的均勻性,可以采用球磨等方法進行混合,使硅粉和碳粉能夠緊密接觸,為后續的反應創造良好的條件。

反應合成:將混合好的原料放入高溫爐中進行反應,反應溫度通常在1600 - 2000℃。在高溫下,硅粉與碳粉發生化學反應生成碳化硅。這個過程中,需要精確控制溫度、保溫時間等工藝參數,以確保反應充分進行,獲得理想的碳化硅相組成和微觀結構。

成型與燒結:反應后的碳化硅產物經過粉碎后,可采用干壓成型、等靜壓成型等方法制成所需的形狀。然后進行高溫燒結,如無壓燒結、熱壓燒結等。燒結過程可以進一步提高碳化硅陶瓷的致密度和性能,使其達到實際應用的要求。

(來源:晶格半導體)

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