當(dāng)前，算力已成為推動(dòng)我國(guó)經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展的重要支撐。算力的全方面崛起，需要電力先行，這給人工智能時(shí)代的數(shù)據(jù)中心能源發(fā)展提出了更嚴(yán)格的要求。XPU高性能算力對(duì)能源的巨大需求，催生了高效功率轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展，對(duì)于功率半導(dǎo)體器件及集成技術(shù)的發(fā)展既是機(jī)遇也是挑戰(zhàn)。針對(duì)AI算力芯片的大電流密度供電需求，供電模塊以驅(qū)動(dòng)功率器件 DrMOS（Driver+PowerMOS）的形式，極大地優(yōu)化了功率密度。為實(shí)現(xiàn)更高能效的功率轉(zhuǎn)換器，低壓大電流功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要。 

2025年5月22-24日，  “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ofran.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司等單位協(xié)辦。 

論壇會(huì)議內(nèi)容將涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。

屆時(shí)，電子科技大學(xué)，教授喬明將受邀出席論壇，并分享《用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)》的主題報(bào)告。報(bào)告將面向DrMOS的發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)，分析DrMOS中核心的硅基功率分立器件、集成器件以及第三代半導(dǎo)體氮化鎵的電學(xué)特性，探討載流子濃度、遷移率、寄生電容等參數(shù)的折衷關(guān)系，延續(xù)摩爾定律在高頻、高效與高可靠功率器件及集成技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。敬請(qǐng)關(guān)注。 

嘉賓簡(jiǎn)介

喬明，博士，二級(jí)教授，博士生導(dǎo)師，國(guó)家級(jí)人才計(jì)劃入選者。長(zhǎng)期從事功率半導(dǎo)體器件，功率高壓集成技術(shù)，功率高壓集成電路，功率器件可靠性，抗輻射功率器件及高壓集成技術(shù)，功率器件建模等方向研究，研究成果已產(chǎn)生顯著的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。曾獲國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)2項(xiàng)、省部級(jí)科技獎(jiǎng)勵(lì)5項(xiàng)，海思模擬開(kāi)發(fā)部“最佳技術(shù)合作伙伴獎(jiǎng)”，華為火花獎(jiǎng)。發(fā)表論文200余篇，以第一發(fā)明人授權(quán)中、美發(fā)明專利100余項(xiàng)。功率半導(dǎo)體領(lǐng)域旗艦會(huì)議ISPSD TPC，《Microelectronics Journal》等期刊編委。 

電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（Power Integrated Technology Lab，PITeL）隸屬于集成電路科學(xué)與工程學(xué)院，支撐建設(shè)有“先進(jìn)功率和射頻器件與集成教育部工程研究中心”、“四川省功率半導(dǎo)體技術(shù)工程研究中心”，是“電子薄膜與集成器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”和“電子科技大學(xué)集成電路研究中心”的重要組成部分。現(xiàn)有18名教授/研究員、9名副教授， 280余名在讀全日制碩士研究生和80余名博士研究生，被國(guó)際同行譽(yù)為“全球功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域最大的學(xué)術(shù)研究團(tuán)隊(duì)”和“功率半導(dǎo)體領(lǐng)域研究最為全面的學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)”。

組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位：

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：南京郵電大學(xué)極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ofran.cn）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持：電子科技大學(xué)南京郵電大學(xué)南通研究院蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司

大會(huì)主席：郭宇鋒

聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰

程序委員會(huì)：盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來(lái)利 程新紅 楊媛 楊樹(shù) 張宇昊 劉斯揚(yáng) 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯  鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢(mèng) 明鑫 周春華 等

組織委員會(huì)

主 任：姚佳飛  

副主任：涂長(zhǎng)峰

成 員: 張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測(cè)試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2. 碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3. 氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù) 

4. 氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5. 模組封裝與應(yīng)用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

6. 面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺(tái)與制造技術(shù)；制造、封裝、檢測(cè)及測(cè)試設(shè)備等

7. 功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料（柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動(dòng)的功率器件仿真，建模與設(shè)計(jì)、封裝與測(cè)試

會(huì)議日程

時(shí)間：2025年5月22-24日  

參會(huì)與擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、南京大學(xué)、天津大學(xué)、長(zhǎng)飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識(shí)電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導(dǎo)體、中科院納米所、平湖實(shí)驗(yàn)室、北京工業(yè)大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國(guó)電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)等……

活動(dòng)參與：   

注冊(cè)費(fèi)2800元，5月15日前注冊(cè)報(bào)名2500元（含會(huì)議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）

繳費(fèi)方式

①銀行匯款

開(kāi)戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動(dòng)支付

備注：通過(guò)銀行匯款/移動(dòng)支付，請(qǐng)務(wù)必備注：?jiǎn)挝缓?jiǎn)稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開(kāi)具發(fā)票。若需開(kāi)具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開(kāi)票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

掃碼預(yù)報(bào)名

備注：此碼為預(yù)報(bào)名通道，完成信息提交后，需要對(duì)公匯款或者掃碼支付注冊(cè)費(fèi)。

論文投稿及報(bào)告咨詢：

賈老師  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老師  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

張老師  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老師  18601994986  linan@casmita.com

贊助、展示及參會(huì)聯(lián)系：

賈先生  18310277858   jiaxl@casmita.com

張女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx  投稿截止到4月25日、文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)（英文）》。 

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