半導體廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代社會的各個領(lǐng)域。根據(jù)WSTS統(tǒng)計數(shù)據(jù)，存儲芯片屬于半導體產(chǎn)品，占比集成電路產(chǎn)值近30%，受摩爾定律的支配，整體行業(yè)技術(shù)發(fā)展極快。在技術(shù)進步的推動下，存儲器下游產(chǎn)品容量需求提升迅速以及新興應(yīng)用市 場不斷被開辟，長期來看，存儲器行業(yè)整體呈現(xiàn)高成長特性。
3月4日，深圳長城開發(fā)科技股份有限公司在投資者關(guān)系活動中發(fā)布相關(guān)信息。其中，公司計劃募集不超過17.10億元建設(shè)存儲先進封測與模組制造項目。
項目由合肥沛頓存儲科技有限公司實施，項目預計百億投資，目前啟動的一期投資30.67億元，建設(shè)內(nèi)容包括：（1）DRAM 存儲芯片封裝測試業(yè)務(wù)，計劃全部達產(chǎn)后月均產(chǎn)能為4,800萬顆；（2）存儲模組業(yè)務(wù)，計劃全部達產(chǎn)后月均產(chǎn)能為 246 萬條模組；（3）NAND Flash存儲芯片封裝業(yè) 務(wù)，計劃全部達產(chǎn)后月均產(chǎn)能為 320 萬顆。建設(shè)期3年，預計全面達產(chǎn)后 可實現(xiàn)年產(chǎn)值28.63億元，項目稅后內(nèi)部收益率為15.22%。
公司擬向不超過35名特定對象發(fā)行不超過8933萬股（不超過發(fā)行前公 司股本總數(shù)的6.07%）募資總額不超過17.10億元，作為沛頓科技向沛頓存儲的出資資金，沛頓科技將以自有資金繳付首期出資款，待公司收到非公開發(fā)行股份募集資金后再予以置換。
據(jù)悉，技術(shù)來源于公司全資子公司沛頓科技自主研發(fā)與長期積累，是國內(nèi)最大的 DRAM和Flash存儲芯片封裝測試企業(yè)之一。其存儲芯片封裝制程采用的是當前高端產(chǎn)品的主流技術(shù)，具備多層堆疊技術(shù)、系統(tǒng)級封裝、倒裝FCBGA技術(shù)等，現(xiàn)有產(chǎn)品已實現(xiàn)多達16層的多晶堆疊技術(shù)，最大單顆芯片容量可達到256G。
目前，沛頓科技主要從事動態(tài)隨機存儲（DRAM）、閃存（Flash）芯片、嵌入式存儲產(chǎn)品、SSD和指紋邏輯芯片的封裝和測試業(yè)務(wù)，目前主要為 wBGA、DDR3、DDR4，eMCP、USB、SSD閃存芯片以及指紋邏輯芯片等提供封測服務(wù)，是國內(nèi)唯一具有從高端DRAM/Flash/SSD存儲芯片封測到模組、成品生產(chǎn)完整產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)。
項目實施后，可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲芯片封測以 及DRAM內(nèi)存模組制造業(yè)務(wù)，有助于國內(nèi)存儲器芯片封測的深度國產(chǎn)化。隨著本次募投項目的實施，有利于打破國內(nèi)存儲器領(lǐng)域?qū)M口產(chǎn)品的依賴和 技術(shù)壁壘，加速存儲器國產(chǎn)化替代進程，提升國產(chǎn)存儲器芯片的產(chǎn)業(yè)規(guī)模， 促進我國存儲器產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
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