3月5日，英飛凌科技公司推出車用650 V CoolSiC 混合分立器件（Hybrid Discrete），內含一個50 A TRENCHSTOP 5快速開關IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管）和一個CoolSiC肖特基二極管，可降低成本、提高性能和可靠性。將IGBT與肖特基二極管結合，可為硬交換拓撲實現高性價比平衡，且支持高完整性系統及雙向充電，從而使該器件非常適用于快速開關汽車應用，如車載充電器（OBC）、功率因數校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）轉換器。
集成的快速開關50 A IGBT可實現類似MOSFET（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor金氧半場效晶體管）的斷開性能并且優于純硅解決方案。與常規的碳化硅MOSFET相比，即插即用的解決方案可縮短產品上市時間，并以較低的成本實現95％至97％的系統效率。此外，CoolSiC肖特基二極管還可降低導通和恢復損耗。與純硅設計相比，該器件更適合硬交換，并將損耗降低30％。該二極管對冷卻溫度要求較低，因此可提供系統級高性價比平衡。
中國OBC供應商深圳威邁斯新能源股份有限公司（VMAX）的下一代OBC / DC-DC系統就采用了英飛凌最新的CoolSiC 混合分立器。該公司致力于開發汽車級電子產品，為客戶提供高度可靠的OBC和DC-DC轉換器。
VMAX的研發總監Xu Jinzhu表示：“VMAX的理念是不斷為客戶創造最大價值。而與英飛凌合作，可為該理念的實現提供基礎。CoolSiC 混合分立器可幫助VMAX簡化驅動器設計、加速產品開發、降低成本并提高系統穩定性。集成的碳化硅二極管不帶反向恢復電荷，可進一步優化系統的EMC（Electro Magnetic Compatibility電磁兼容性）特性，從而為圖騰式開關PFC和DAB (Dual Active Bridge串聯型雙主動橋)等拓撲結構帶來更大性能優勢和更高性價比。”
英飛凌汽車大功率分立器件和芯片部門副總裁JürgenSp nkuch表示：“很高興可以和VMAX達成合作。該項目將進一步凸顯我們在車載充電器應用中領先地位。”
