隨著GaN半導體芯片行業的蓬勃發展，GaN功率器件在快速充電器、新能源汽車、數據中心等領域的應用日益廣泛。據Yole Développement研究顯示，預計到2022年該市場將成長到4.5億美元，年復合成長率高達91%。其中硅基GaN器件憑借性能好、成本低、與CMOS工藝兼容等一系列優勢，成為目前GaN功率芯片的主流。
低損傷型刻蝕設備
面向硅基GaN器件中多種材料的刻蝕工藝需求，北方華創推出的GSE C200型刻蝕設備，通過不同的射頻功率與工藝優化，可滿足多種不同刻蝕深度與刻蝕速率要求。針對硅基GaN器件制造中關鍵的低速、低損傷刻蝕工藝，我們開發了高精度、低功率的射頻電源與匹配技術，實現了低等離子體能量的精準控制，有效降低了刻蝕損傷，滿足了硅基GaN器件的量產要求。同時，北方華創開發的原子層刻蝕技術，具有均勻性好、表面粗糙度小等一系列優勢。
8/6英寸金屬刻蝕機
為了更好地滿足客戶對于硅基GaN領域厚鋁刻蝕的要求，北方華創NMC508M刻蝕機采用具有獨特技術優勢的自主射頻系統，可實現更高的鋁刻蝕速率，有效提升產能。同時針對GaN器件對刻蝕均勻性要求更高的TiN刻蝕工藝，可通過等離子密度分布的內外區調節加以實現。在缺陷控制方面，NMC508M采用了低顆粒/缺陷控制技術，有效控制了缺陷水平。此外，NMC508M還配置了去膠腔，可針對客戶需求進行反應副產物和殘留物去除，有效防止鋁線腐蝕等問題，同時去膠速率達到先進水平。
8英寸大產能型PVD鍍膜系統
隨著GaN產業的不斷發展，客戶對產能及機臺利用率等方面要求越來越高，北方華創通過機臺結構創新，開發了eVictor GX20系列通用磁控濺射系統。該系統為雙傳輸平臺結構，共可配置10個工藝模塊。在高溫Al濺射工藝中，該系統可通過結構及調度優化，使產能大幅提升，并通過工藝優化，提升靶材利用率及沉積速率。eVictor GX20系列設備兼容性強，可為客戶提供高產能、高設備利用率的薄膜沉積設備。
