IEEE ISSCC國際固態電路大會上，三星(確切地說是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工藝制造的芯片，是一顆256Mb(32MB)容量的SRAM存儲芯片，這也是新工藝落地傳統的第一步。

 

在三星路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節點，其他則是升級改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。

三星將在3nm工藝上第一次應用GAAFET(環繞柵極場效應晶體管)技術，再次實現了晶體管結構的突破，比現在的FinFET立體晶體管又是一大飛躍。

 

GAAFET技術又分為兩種類型，一是常規GAAFET，使用納米線(nanowire)作為晶體管的鰭(fin)，二是MBCFET(多橋通道場效應晶體管)，使用的鰭更厚更寬一些，稱之為納米片(nanosheet)。

三星的第一顆3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面積56平方毫米，最令三星驕傲的就是超低功耗，寫入電壓只需要區區0.23V，這要感謝MBCFET的多種省電技術。

 

按照三星的說法，3GAE工藝相比于其7LPP，可將晶體管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。

 

或許，這可以讓三星更好地控制芯片功耗、發熱，避免再出現所謂的“翻車”。

 

三星3nm預計明年投入量產，但尚未公布任何客戶。

臺積電方面，3nm繼續使用FinFET技術，號稱相比于5nm晶體管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％，預計今年晚些時候投入試產，明年量產，客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯發科、賽靈思、博通、高通等，甚至據說Intel也會用。