近日，安徽省人民政府印發了《安徽省2021年重點項目投資計劃》，納入計劃的項目總數達7851個，年度計劃投資1.48萬億元。其中，續建項目4941個，計劃開工項目2910個。全年計劃竣工項目1392個。

 

2021年，安徽省在重點項目安排上，聚焦重大科技基礎設施、大數據中心、云計算、產業創新平臺等建設，促進科技創新勢能轉化為經濟發展新動能，共安排項目215個，年度計劃投資427.48億元。

 

在投資計劃表名單中，涵蓋了多個集成電路產業項目，以下是部分項目介紹：

 

· 12吋晶圓驅動芯片制造項目：

總投資128.10億元，總建筑面積20.1萬平方米，建設生產廠房、綜合樓、化學品庫、倉庫、廢水處理站生產線，形成年產150納米LCD驅動IC3.5萬片、90納米小尺寸驅動IC0.5萬片的生產能力，目前3萬片產能，2021年計劃將產能提升至5萬片。

· 集成電路產業鏈配套項目：

總投資30.7億元，項目主要從事集成電路封測以及模組組裝業務，達產后將形成月產能12萬片的DRAM及1600萬顆4DNAND封測能力。

 

· 晶圓凸塊封裝測試基地項目：

總投資24億元，總建筑面積3萬平方米，月產3萬片12吋晶圓、5萬片8吋晶圓。其中：一期月產1.2萬片12吋晶圓及3萬片8吋晶圓。

 

· 第三代功率半導體(碳化硅)產業園項目：

總投資21億元，總建筑面積8萬平方米，主要建設廠房、輔助用房，購置晶體生長爐、原料合成爐測試設備、超凈室、研發設備等先進設備。

 

· 捷敏半導體IC電源管理器件生產線項目：

總投資16億元，建筑面積約2.8萬平方米，引進進口雙頭鋁線鍥焊機、自動塑封模壓機、半導體器件測試儀等設備，配套國內先進設備，從事半導體IC電源管理器件的封裝生產，項目建成后，可實現年產半導體IC電源管理器件26.2億顆。

 

· 上達柔性集成電路封裝基板COF生產項目：

總投資20億元，總建筑面積約6.46萬平方米，主要建設生產廠房、綜合樓和宿舍樓，購置國內外柔性集成電路封裝基板生產設備及配套附屬設施等，單面卷帶COF基板15KK/月，雙面卷帶COF基板15KK/月。

 

· ITO靶材及其它薄膜材料研發及生產項目：

總投資15億元，總建筑面積8萬平方米，建設廠房4棟，2F辦公綜合樓1棟，門衛室1間，并配套建設消防、環保、道路、供配電、給排水等輔助設施，項目建成后將形成年產800噸ITO靶材、750噸太陽能靶材和1478.4噸其它種類薄膜材料的生產能力。

 

· 顯示驅動芯片COF卷帶生產項目：

總投資12.7，總建筑面積6萬平方米，建設主樓、廠房、動力站、化學品庫及倉庫，建設3條中國大陸最大的半導體顯示芯片封裝COF卷帶生產線，形成月加工70KK卷帶的生產能力。

 

· 鑫豐科技存儲器封測項目：

總投資5.5億元，建設存儲器封測基地。

 

· 集成電路關鍵工藝材料項目：

總投資3.5億元，總建筑面積5萬平方米，計劃建設廠房、辦公樓、倉庫、動力站及三廢車間等相關配套設施，項目建成后將形成年產集成電路制造和封裝的關鍵材料1.7萬噸。

 

· 年產360萬片再生晶圓項目：

總投資3.2億元，項目總建筑面積4萬平方米，建設晶圓再生廠房、零部件清洗廠房，配套廠務系統車間、辦公樓、倉庫等輔助、公用工程，項目建成后將形成每年120萬片晶圓再生的能力。

 

· 至純半導體濕法設備制造項目：

總投資1.8億元，擬新建1棟廠房、1棟辦公樓及相關附屬設施,購置激光切割機、磨床、車床、電腦控制系統等設備，從事半導體核心零部件的制造與加工。項目建成后可實現年產半導體核心零部件550件。

 

· MEMS微系統集成工程建設項目：

總投資10億元，總建筑面積1萬平方米，廠房改造，新增購置200余臺套，建設提升原有產線的產能，形成年產5萬片晶圓、4億顆芯片的生產能力。

 

· 集成電路及電子元件封裝測試項目：

總投資1億元，總建筑面積2.4萬平方米，設計年產集成電路及電子元件封裝測試產品5億只。

 

· 半導體封測邊框生產項目：

總投資25億元，建筑面積25萬平方米，新建半導體封裝生產線18條，購置關鍵設備2500臺，建設半導體封測邊框生產基地。

 

· 順芯第三代化合物半導體中段制程晶圓超薄化與封測產品生產研發基地項目：

總投資20億元，總建筑面積8萬平方米，第一期實現年產84萬片的晶圓薄化與金屬化生產能力，第二期實現年產168萬片的晶圓薄化與金屬化生產能力以及100萬片的芯片封裝測試生產能力。

 

· 安徽微芯SiC單晶襯底研發及產業化項目：

總投資13.5億元，建筑面積3.2萬平米，新建廠房包括碳化硅晶體生長車間、碳化硅晶圓片加工車間等，購置主要研發設備、檢測設備和其他輔助設備共576臺（套），年產碳化硅晶圓片4英寸(直徑100mm)3萬片、6英寸(直徑150mm)12萬片。

 

· 年產50億只集成電路及8億顆功率器件及模組項目：

總投資5.12億元，一期租賃廠房1.6萬平方米，購置生產線，二期建設標準化廠房4.5萬平方米，年產50億只集成電路及8億顆功率器件及模組。

 

· 晶圓再生制造及半導體零部件制造、精密清洗涂層項目：

總投資2億元，新建4棟共1.5萬平方米廠房，建成后形成年產再生晶圓2000萬片，再生、制造半導體光電設備零件500萬件、精密清洗涂層200萬件的生產能力。

 

· 半導體設備精密零配件加工制造項目：

總投資1.15億元，租用廠房1-2層3652平方米，購置相關生產設備及配套設施，年產25萬件IC封裝模具、IC沖壓模具及IC封測設備各種相關零配件產品。

 

· 年產127億顆新型電子元器件項目：

總投資11億元，租賃廠房面積5萬平米，購置設備，建成后形成年產127億顆新型電子元器件的生產力。

 

· 年產2000萬件電子元器件及配件項目：

總投資1.05億元，總建筑面積1.3萬平方米，購置注塑機、超聲波焊接機、自動裁線機、端子機等相關先進生產設備51臺(套），形成年產2000萬件電子元器件及配件的生產能力。

 

· 年產100億只高可靠性集成電路芯片先進封裝測試產業化項目：

總投資5億元，總建筑面積2.62萬平方米，購置晶圓粘片機、金線鍵合機等設備，形成年產100億只高可靠性集成電路芯片的生產能力。

 

· 鄭蒲港新區富捷半導體被動功率器件項目：

總投資5億元，租賃廠房2.4萬平方米，建設厚膜貼片電阻設計開發生產線5條，年產1000億個被動元電子器件。

 

· 新能源汽車IGBT模塊項目：

總投資3億元，新建1條IGBT功率模塊封測生產線，同時搭建可靠性及環境實驗室、IGBT芯片及模塊研發中心及應用測試平臺，產線建設規模為年產42萬只新能源汽車IGBT模塊。

 

· 高端功率半導體芯片研發制造項目：

總投資2.23億元，購買廠房，購置擴散爐、自動刻蝕機、自動涂布機等研發制造設備約600臺套，建設兩條全自動化生產線，年產360萬片5英寸高端功率半導體芯片。

 

· 先進半導體電子應用材料項目：

總投資3.2億元，總建筑面積2.2萬平方米，建設辦公樓、車間、倉庫及相關附屬設施，項目建成后將形成年產1.33萬噸電子化學品的生產能力。

 

· 檳城半導體芯片及封裝項目：

總投資5億元，租賃廠房1萬平方米，年產60萬片芯片、500只分立器件成品。

 

· 12寸半導體級單晶硅棒和硅片生產基地項目：

總投資1.05億元，總建筑面積2.7萬平方米，建設廠房及附屬設施，形成年產硅棒100噸、拋光片100萬片的生產能力。

 

· 聯寶科技新增年產1000萬臺/套智能產品項目：

總投資100億元，新增年產1000萬臺/套智能產品項目規劃生產服務器、超小型計算機、高端筆記本電腦、固態硬盤等智能產品，一期利用現有廠房進行技術升級改造，二期新建標準廠房。目前生產主板車間新架第23條線，完成四廠生產主板F線和臺式F線，計劃2021年完成部分產線。