5月10日消息 南韓近期啟動「X-band GaN國家計劃」沖刺第三代半導(dǎo)體，三星積極參與。由于市場高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展，臺積電、世界等臺廠均已卡位，三星加入南韓官方計劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局，也點燃半導(dǎo)體業(yè)新戰(zhàn)火。

 

第三代半導(dǎo)體主要和氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）兩種材料有關(guān)，不少大廠都已先期投資數(shù)十年，近年隨著蘋果、小米及現(xiàn)代汽車等大廠陸續(xù)宣布產(chǎn)品采用新材料的計劃，讓第三代半導(dǎo)體成為各界焦點。

 

目前各大廠都運(yùn)用不同的方式切入第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，除了傳統(tǒng)的晶圓代工廠，整合元件廠（IDM）廠商，乃至于LED大廠晶電、砷化鎵晶圓代工龍頭穩(wěn)懋都積極卡位。其中，晶電具有一條龍服務(wù)能力，穩(wěn)懋日前宣布擴(kuò)大南科投資百億元的項目當(dāng)中也包含該技術(shù)。

 

此前今年4月，韓國政府發(fā)布了一份先進(jìn)功率半導(dǎo)體研發(fā)和產(chǎn)能提升計劃。

 

與傳統(tǒng)芯片相比，功率芯片可以處理更大的電壓和電流。目前韓國國內(nèi)市場規(guī)模約為20億美元，由于缺乏技術(shù)和專利，90%以上的市場需求依賴進(jìn)口。

 

在民間部門的配合下，韓國政府計劃到2025年將市場競爭力提升到全球水平，以便到那一年韓國至少有5種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品上市。致力于SiC、GaN、Ga2O3三種材料的應(yīng)用技術(shù)和技術(shù)，克服硅酮材料的局限性，協(xié)助國內(nèi)企業(yè)的材料和芯片研發(fā)工作。

 

韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部在一份聲明中表示，將與韓國國內(nèi)的代工廠建立6 - 8英寸的制造工藝，以擴(kuò)大相關(guān)的代工服務(wù)。

 

 據(jù)悉，目前全球的功率半導(dǎo)體器件主要由歐洲、美國、日本三個國家和地區(qū)提供，他們憑借先進(jìn)的技術(shù)和生產(chǎn)制造工藝，以及領(lǐng)先的品質(zhì)管理體系，大約占據(jù)了全球60％的市場份額。英飛凌、意法半導(dǎo)體等不僅是歐洲的代表企業(yè)，更在全球名列前茅；美國則有安森美、威世、力特等為其揚(yáng)名立萬；日本也是功率半導(dǎo)體器件的主要玩家，瑞薩、東芝、富士電機(jī)、羅姆聞名全球。

 

 “政府計劃積極支持研發(fā)和基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，以搶占仍處于早期階段的下一代功率半導(dǎo)體市場，并建立一個堅實的產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)，”韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部長官成允模在聲明中表示。

 

如此一來，韓國加入美國、中國和日本等國家的行列，均宣布促進(jìn)本土芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策，包括功率半導(dǎo)體的制造。