第三代半導體材料及其應用是全球半導體產業戰略競爭新高地，目前我國正迎來發展第三代半導體的重要窗口期。功率半導體從原材料到設計、晶圓制造加工裝備、封測，正加速實現全產業鏈國產化。雖然我國已發展成為全球第一大功率半導體市場，但國產自給率較低，行業仍存巨大供需缺口，國產替代將是未來重要的發展方向。
為了更好的把握時機推進產業的發展，打破功率半導體產業在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統應用等環節產業化主要技術瓶頸，引領技術及市場風向，半導體產業網在南京大學電子科學與工程學院、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導下，擬定于2021年9月13-14日在南京召開“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G 射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代，屆時邀請行業眾多技術及應用專家進行研究、分享、交流。誠摯歡迎各研究院所、高校、產業鏈企事業單位參與討論。
會議時間：2021年9月13-14日
會議地點：南京·城市名人酒店（江蘇省南京市鼓樓區中山北路30號）
聯系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411，zhangww@casmita.com
附件：會議資料
一、組織機構：
指導單位
南京大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
主辦單位
半導體產業網
第三代半導體產業 公號
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
贊助支持單位
Crosslight Software Inc
聚能創芯微電子有限公司
ULVAC株式會社
寧波恒普真空
GaNPower Intl. Inc
德儀國際貿易
蘇州漢驊半導體
上海智湖信息技術有限公司
大族激光
蘇州晶湛半導體
上海翱晶半導體
云南鍺業
二、會議背景：
以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優異特性，因其在國防安全、智能制造、產業升級、節能減排等國家重大戰略需求方面的重要作用，正成為世界各國競爭的技術制高點。但受工藝、成本等因素限制，多年來僅限于小范圍應用。
近年來，隨著材料生長、器件制備等技術的不斷突破，第三代半導體的性價比優勢逐漸顯現并正在打開應用市場： SiC肖特基二極管器件開始應用于新能源汽車及高端電源市場，包括PFC、光伏逆變器和高端家電變頻器等，GaN快速充電器也大量上市。未來5-10年是全球第三代半導體產業的加速發展期，基于第三代半導體材料的功率半導體器件將廣泛應用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數據中心等場景，也是我國能否實現產業自主可控的關鍵期。
由于功率半導體器件在實現電能高效利用、節能減排、建設資源節約型社會方面發揮著不可替代的作用。國家各級政府紛紛出臺政策護航產業發展，一批針對性扶持措施開始顯效，將會不斷推動功率半導體器件行業的技術進步，形成先進技術的自有知識產權，優化國產功率半導體器件的產品結構。
功率半導體的應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場，市場規模呈現穩健增長態勢。隨著5G帶來的萬物互聯及基地臺、數據中心數量的迅速增長，以及汽車電子化程度的持續提升，帶動功率半導體市場實現較快增長。
在新能源汽車應用以及PD快充市場爆發的強力帶動下，2020年國內SiC、GaN電力電子器件市場規模較上年同比增長90%，未來5年將以45%的復合增長率增長至300億。根據CASA Research第三代半導體產業發展報告（2020）表明：2020年我國第三代半導體電力電子與射頻總產值已經超過100億元 。SiC、GaN電力電子產值規模達44.7億元，同比增長54%；GaN微波射頻產值達到60.8億元，同比增長80.3%。“十四五”科技計劃中將建設“面向大數據中心應用的GaN基高效功率電子，應用于數據中心電源的GaN電力電子器件”提上日程，未來這個市場將迎來高速增長。
隨著國內企業逐步突破行業內高端產品的核心技術，我國功率半導體器件對進口的依賴將會減弱，進口替代的市場機遇逐漸顯現。功率半導體器件是國民經濟中各行業發展的基礎元器件，其技術進步和應用領域的拓寬既能夠促進工業的產業結構升級，也為居民生活帶來更多便利和舒適。
目前，第三代半導體材料及其應用是全球半導體產業戰略競爭新高地，目前我國正迎來發展第三代半導體的重要窗口期。功率半導體從原材料到設計、晶圓制造加工裝備、封測，幾乎可以實現全產業鏈國產化。雖然我國已發展成為全球第一大功率半導體市場，但國產自給率較低，行業仍存巨大供需缺口，國產替代將是未來重要的發展方向。
為了更好的把握時機推進產業的發展，打破功率半導體產業在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統應用等環節產業化主要技術瓶頸，引領技術及市場風向。半導體產業網在南京大學電子科學與工程學院、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟等單位的指導下，擬定于2021年在南京組織召開“2021功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）” 邀請行業眾多技術及應用專家進行研究、分享、交流。歡迎各研究院所、高校、產業鏈企事業單位參與討論。
三、會議安排：
四、報告嘉賓&主題報告：
1、8月8日報告（陸續更新中）
報告嘉賓：陳堂勝--中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任
主題報告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
主題報告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報告嘉賓：陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
主題報告：GaN功率開關器件及其高頻電源應用
報告嘉賓：孫偉鋒--東南大學教務處處長 教授
主題報告：功率電子電路設計(TBD)
報告嘉賓：龍世兵--中國科學技術大學微電子學院執行院長
主題報告：功率電子電路設計(TBD)
報告嘉賓：龍世兵--中國科學技術大學微電子學院執行院長
主題報告：低成本高性能氧化鎵功率器件
報告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報告嘉賓：張 云--天津大學電氣自動化與信息工程學院教授
主題報告：新能源汽車電力電子系統及其運行控制
報告嘉賓：黃潤華--中電科五十五所副主任設計師
主題報告：碳化硅MOSFET技術問題及55所產品開發進展
報告嘉賓：戴小平-株洲中車電氣時代/湖南國芯總經理
主題報告：SiC模塊封裝技術探討
2、8月9日報告（陸續更新中）
報告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統研究所研究員
主題報告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術
報告嘉賓：鄧小川--電子科技大學教授
主題報告：極端應力下碳化硅功率MOSFET的動態可靠性研究
報告嘉賓：惠 峰--云南鍺業公司首席科學家/中科院半導體所研究員
主題報告：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用
報告嘉賓：陳 鵬--南京大學教授
主題報告：GaN肖特基功率器件新進展
報告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經理
主題報告：高性能高壓碳化硅功率器件設計與技術
報告嘉賓：李 強--西安交通大學
主題報告：基于HBN 的射頻器件
報告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
主題報告：Adopt of SiC devices in EV applications
報告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
主題報告：高質量AlN/AlScN單晶襯底與薄膜制備技術及其在射頻濾波領域應用前景展望
報告嘉賓：張保平--廈門大學電子科學與技術學院 副院長、教授
主題報告：氮化鎵基VCSEL技術進展
報告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
主題報告：金剛石微波功率器件研究
報告嘉賓：左 超--愛發科商貿（上海）有限公司電子營業部部長
主題報告：量產高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術
報告嘉賓：裴 軼--蘇州能訊高能半導體有限公司技術副總裁
主題報告：面向5G移動通訊的氮化鎵射頻功率器件
報告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經理
主題報告：射頻器件（TBD）
報告嘉賓：袁 理--青島聚能創芯微電子有限公司
主題報告：面向快充應用的GaN材料和器件技術
報告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學
主題報告：硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術
報告嘉賓：陳鈺林--英諾賽科科技股份有限公司副總裁
主題報告：八英寸硅基氮化鎵技術進展（TBD）
報告嘉賓：顧 星--蘇州漢驊半導體有限公司
主題報告：GaN 射頻器件（TBD）
主題報告：氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究
報告嘉賓：葉建東--南京大學教授
報告嘉賓：劉新科--深圳大學副教授
報告嘉賓：劉新科--深圳大學副教授
主題報告：基于氮化鎵單晶襯底的半導體功率器件
報告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發中心主任，山東大學副教授
主題報告：碳化硅與金剛石單晶襯底技術與產業化研究
報告嘉賓：葉念慈--三安集成技術市場總監
主題報告：（TBD）
報告嘉賓：樊嘉杰--復旦大學青年研究員
主題報告：SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優化設計
報告嘉賓：紐應喜--啟迪半導體研發總監
主題報告：碳化硅外延裝備及技術進展
報告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經理
主題報告：VCSEL 技術 (TBD)
報告嘉賓：程 凱--蘇州晶湛半導體
主題報告：用于新型GaN功率器件的外延技術進展
報告嘉賓：楊學林--北京大學物理學院高級工程師
主題報告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展
報告嘉賓：徐尉宗--南京大學研究員
主題報告：面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術
更多報告嘉賓正在確認中！?。?/strong>
擬參與單位：華為、中興、南京大學、三安光電、東南大學、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時代、國家電網、中芯集成、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學、江蘇能華、西安交通大學、北京大學，電子科技大學，河北同光、山東天岳、天津大學、聚能創芯，賽微電子，南京百識，唐晶量子，天科合達，漢驊半導體，南京百識，大族激光，德儀，江蘇三代半研究院等
投稿 ：Oral或Poster ：500字左右擴展摘要提交到 1957340190@qq.com。
參會注冊 ：注冊費 2000 （會議資料，招待晚宴，自助餐）
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
參會/贊助/商務合作：
聯系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
聯系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411，zhangww@casmita.com
協議酒店：城市名人酒店（協議價400，含早）
聯系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫須知：會務組最新咨詢南京市衛健委并得到最新回復，目前進出南京市不需要核酸檢測證明，只要14天內沒去過中高風險區和出入境經歷，體溫無異常情況下，均可持綠碼進出南京城參加會議
聯系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫須知：會務組最新咨詢南京市衛健委并得到最新回復，目前進出南京市不需要核酸檢測證明，只要14天內沒去過中高風險區和出入境經歷，體溫無異常情況下，均可持綠碼進出南京城參加會議
