昭和電工指出，藉由公募增資、第三者配額增資，以及視需求動向將實施超額配售(Over allotment)，預估最高將發行3,519萬股新股、約相當于現行已發行股數的2成比重，最高將籌得1,093億日圓資金。

 

在上述1,093億日圓資金中、約700億日圓將用于增產半導體材料。就細項來看，昭和電工計劃投資58億日圓增產使用于功率半導體的SiC晶圓以及鋰離子電池材料、增產工程預計于2023年12月完工；投資59億日圓增產電子材料用高純度氣體、預計2023年12月完工；投資232億日圓提高研磨液(CMP Slurry)產能及改善質量、預估2023年12月完工；投資248億日圓增產使用于印刷電路板(PCB)的銅箔基板(CCL、Copper Clad Laminate)、感光性薄膜，預計2024年3月完工。

 

日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)6月10日公布調查報告指出，自2021年以后，在汽車/電子設備需求加持下，預估碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體市場將以每年近20%的速度呈現增長，2030年市場規模預估為2,490億日圓、將較2020年跳增3.8倍(成長約380%)。

 

其中，因汽車/電子設備需求加持，來自中國、北美、歐洲的需求揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴大至1,859億日圓、將較2020年跳增2.8倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴大至166億日圓、將較2020年飆增6.5倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。

 

 

據CREE CEO Gregg Lowe在日前介紹，公司位于紐約州馬西鎮（Marcy）的碳化硅（SiC）晶圓廠有望在2022年初投產，該廠于2019年開始建設，為“世界上最大”的碳化硅晶圓廠，將聚焦車規級產品，是科銳10億美元擴大碳化硅產能計劃的一部分，也是該公司有史以來最大手筆的投資。

 

在2019年5月7日 Cree宣布，作為公司長期增長戰略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC碳化硅產能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化200mm SiC碳化硅生產工廠和一座材料超級工廠。這項標志著公司迄今為止最大的投資，將為Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業務提供動能。在2024年全部完工之后，這些工廠將極大增強公司SiC碳化硅材料性能和晶圓制造產能，使得寬禁帶半導體材料解決方案為汽車、通訊設施和工業市場帶來巨大技術轉變。

 

Cree首席執行官Gregg Lowe先生表示：“我們不斷地看到在汽車和通訊設施領域采用SiC碳化硅的優勢來驅動創新所產生的巨大效益。但是，現有的供應卻遠遠不能夠滿足我們對于SiC碳化硅的需求。今天，我們宣布了公司迄今在生產制造的最大投資，將大幅地提升供應，幫助客戶為市場提供變革性的產品和服務。這項在設備、基礎設施、公司人力方面的巨大投入，將為我們顯著擴大產能。與2017財年第一季度（也就是我們開始擴大產能的第一階段）相比較，能夠帶來SiC碳化硅晶圓制造產能的30倍增長和材料生產的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未來5年乃至更長遠的預期增長。”

 

這項計劃將為業界領先的Wolfspeed SiC碳化硅業務提供附加產能。通過增建現有的建筑設施，作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠，邁出滿足預期市場需求的第一步。新的North Fab將被設計成能夠全面滿足汽車認證的工廠，其生產提供的晶圓表面積將會是今天現有的18倍，剛開始階段將進行150mm晶圓的生產。公司將把現有在達勒姆的生產和材料工廠轉變為一座材料超級工廠。

 

Cree首席執行官Gregg Lowe先生同時還表示：“這些SiC碳化硅制造超級工廠，將加速當今最快增長市場的創新。通過提供解決方案，幫助提高EV電動汽車的行駛里程并減少充電時間，同時支持5G網絡在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化硅和GaN氮化鎵技術和制造有史以來最大的資本投資，也是一種在財政上負責任的方式。通過采用現有工廠和安裝絕大部分的整新工具，我們相信我們可以實現提供最先進技術的200mm fab，并且成本大約僅為一座新fab的1/3。”

 

擴大的園區將創造高科技就業機會，并提供先進制造人才發展計劃。Cree計劃與州、當地和四年制院校開展培訓項目，為新工廠所帶來的長期、高端就業和成長機遇提供人才儲備。

 

 

據日經日前報道，日本各家電子零件廠加快對EV相關零件進行增產投資，其中Rohm計劃在今后5年內投資600億日圓、將使用于EV的SiC功率半導體產能擴增至現行的5倍。

 

報導指出，Rohm在碳化硅(SiC)功率半導體的研發上居領先，于全球SiC功率半導體市場握有2成市占率，和英飛凌( Infineon )、STMicroelectronics并列為全球主要供應商之一，而其產能擴增至5倍后、全球市占率有望提高至3成。Rohm生產的半導體材料也以經由汽車零件廠的形式、使用于特斯拉(Tesla)的EV逆變器(inverter)上。

 

早在幾年前，羅姆就規劃將在旗下生產子公司「ROHM Apollo」的筑后工廠(福岡縣)內興建新廠房，預計于2019年2月動工、2020年12月完工。按照羅姆于SiC電源控制芯片事業策略說明會上表示，公司將投資約200億日圓，于2020年倍增SiC電源控制芯片產能，而羅姆也考慮于宮崎縣進行增產投資，在2025年3月底前累計將投資600億日圓，屆時將SiC電源控制芯片產能大幅擴增至2016年度16倍。

 

而在早前，ROHM最近舉行了開幕式，宣布將于2019年2月開始在ROHM Apollo的Chikugo工廠完成新建筑的竣工，以增強SiC功率器件的生產能力。

 

新大樓是一家最先進的環保工廠，其生產設施采用了許多節能技術，其中100％的電力來自可再生能源。

 

此外，我們通過引入各種災難對策來增強BCM（業務連續性管理）系統。從2021年1月起，我們將開始安裝生產設備并構建能夠滿足SiC功率器件中長期增長需求的制造系統。

 

據報道，自2010年以來，ROHM一直在大量生產包括SiC SBD和MOSFET在內的SiC功率器件，該公司在技術開發方面繼續保持行業領先地位，例如推出了業界首款全SiC功率模塊和SiC溝槽MOSFET。同時，羅姆擁有一個集成的生產系統，致力于通過增加硅片直徑和利用最新設備來提高生產效率，同時還減少了制造對環境的影響。

 

除了這棟新建筑外，羅姆集團旗下生產SiC硅片的SiCrystal GmbH計劃從下一個財年開始使用100％可再生能源運營，從而將工廠購買的電力所產生的CO 2排放量降至零。結果，所有主要的SiC芯片生產工藝都將使用環保的可再生能源。

 

資料顯示，統計2020上半年全球半導體碳化硅襯底市場份額， CREE出貨量占據全球45%，日本羅姆子公司SiCrystal占據20%，II-VI占13%；中國企業天科合達的市場占有率由2019年3%上升至2020年5.3%，山東天岳占比為2.6%。