張宇昊 博士

美國弗吉尼亞理工大學電力電子研究中心助理教授

 

張宇昊現在是美國弗吉尼亞理工大學電力電子研究中心(Center for Power Electronics Systems, CPES)助理教授，并領導該中心的器件和功率半導體研究。該中心由FredLee創立，現得到超過80家公司的資助，擁有電力電子領域基于高校的最大的產業聯盟之一。

 

張宇昊于2013年和2017年在麻省理工學院分別獲得碩士及博士學位，并于2011年在北京大學物理系獲得本科學位。其研究興趣包括功率器件、寬禁帶和超寬禁帶半導體材料、器件封裝、以及電力電子應用。張宇昊已發表文章90余篇，涵蓋多個領域（IEDM, EDL, APL, T-PEL, JESTPE, APEC, IRPS, Nature等），并有4個已經授權的美國專利。

 

張宇昊獲得2017年麻省理工學院Microsystems Technology Laboratories最佳博士論文獎、2019年IEEE George Smith Award (IEEE EDL年度最佳論文獎)、2020年IEDM Conference Highlight榮譽、2021年美國National Science Foundation CAREER獎、2021年弗吉尼亞理工優秀助理教授獎。其博士生獲得2021 APEC最佳報告獎、2021 IEEE Power Electronics Society最佳博士論文獎等獎項。其工作被Nature Electronics, Semiconductor Today, Compound Semiconductor Magazine等媒體報道50余次。

 

本次張宇昊博士能出席“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會”確實機會難得，組委會溝通后，張宇昊博士將一連分享三個主題報告，報告主題如下：

 

 

簡介：在電力電子系統中，負載端的浪涌能量以及串聯開關的電壓分配不均常常造成器件在開關過程中承受超過額定電壓的瞬態過壓。功率器件在開關過程中承受反復瞬態過壓的能力是其魯棒性的關鍵指標之一。本工作創新性地研究了商用碳化硅和氮化鎵器件在反復過壓開關中的魯棒性，包括失效和老化過程及機理。

 

 

簡介：近些年來，氮化鎵成為了主流的功率半導體之一。氮化鎵高電子遷移率晶體管已經實現了15 V到650 V電壓等級的商用化。然而，對于650 V到10 kV的中高壓電力電子應用（電動汽車動力系統，電網，新能源，高鐵等），人們常常認為碳化硅相比于氮化鎵更有優勢。我們近期關于高壓氮化鎵功率器件的研究結果推翻了這一觀點。

 

 

簡介：氧化鎵是一種新興的超寬禁帶半導體材料，其晶圓已實現大面積商業化生產。因而近來，氧化鎵功率器件受到了極大的關注。當前，氧化鎵器件所面臨的最大的挑戰之一是氧化鎵材料極低的電阻率（碳化硅的1/20）以及所導致的器件功率密度的限制。另外一方面，作為通向應用的必經之路，大電流氧化鎵器件的制備、封裝和應用還極少有報道。我們近期首次實現了大面積氧化鎵器件的制成和封裝，并首次報道了大電流、封裝的氧化鎵器件的穩態和瞬態熱學性能。我們制備了大電流垂直結構氧化鎵肖特基二極管，并采用了基于銀燒結的雙面封裝技術。

 

至此，會務組也誠摯歡迎相關領域的專家、學者、行業企事業單位能參會與張宇昊博士多多交流！更多會議資料請往下查看：