第三代半導體材料及其應用是全球半導體產業戰略競爭新高地，目前我國正迎來發展第三代半導體的重要窗口期。功率半導體從原材料到設計、晶圓制造加工裝備、封測，正加速實現全產業鏈國產化。雖然我國已發展成為全球第一大功率半導體市場，但國產自給率較低，行業仍存巨大供需缺口，國產替代將是未來重要的發展方向。

2021年9月13-14日，由南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，半導體產業網、第三代半導體產業主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代。

屆時，聚能創芯/聚能晶源總經理袁理受邀將出席‘2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會’，并分享《面向快充應用的GaN材料和器件技術》主題報告。袁理總經理是香港科技大學電子工程專業畢業，長期從事寬禁帶化合物半導體材料與器件工作。曾任職新加坡IME、中航微電子、上海微技術工研院，曾主導建立亞洲及我國首個8英寸硅基氮化鎵（GaN）器件研發與制造平臺。

 

據了解，青島聚能創芯微電子有限公司（簡稱“聚能創芯”）坐落于青島國際創新園區，主要從事第三代半導體硅基氮化鎵（GaN）的研發、設計、生產和銷售，專注于為業界提供高性能、低成本的GaN功率器件產品和技術解決方案。公司掌握業界領先的GaN功率器件與應用設計技術。致力于整合業界優勢資源，打造GaN器件開發與應用生態系統，為PD快充、智能家電、云計算、5G通訊等提供國產化核心元器件支持。

 

背靠上市公司賽微電子（300456）與知名投資基金支持，聚能創芯建立了業界領先的管理和技術團隊。在產品研發與量產過程中，始終堅持高品質與高可靠性的要求。在得到合作伙伴廣泛認可的同時，逐步成為第三代半導體領域的國際知名企業。

 

同時，聚能創芯旗下聚能晶源（青島）半導體材料有限公司主要從事第三代半導體氮化鎵（GaN）外延材料的研發、設計、制造和銷售，致力于為客戶提供大尺寸、高性能GaN外延解決方案與材料產品。公司掌握業界領先的8英寸GaN-on-Si、6英寸GaN-on-SiC外延技術，為客戶提供符合業界標準的高性能GaN外延晶圓產品、產品線包括AlGaN/GaN-on-Si、P-cap AlGaN/GaN-on-Si、GaN-on-HR Si、GaN-on-SiC，覆蓋GaN功率與微波器件應用。作為聚能創芯的兄弟企業，聚能晶源致力于為業界提供標準化的GaN外延晶圓產品和定制化服務。目前聚能晶源的客戶包括海內外知名半導體器件制造商、設備制造商、高校研究所等，相關產品和服務得到了下游客戶的一致認同和廣泛好評。

欲知聚能創芯最新研究進展與成果，敬請關注峰會，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。

會務組也誠摯歡迎相關領域的專家、學者、行業企事業單位能參會與袁理總經理多多交流！

 

【組織機構】
 

南京大學

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟

 

半導體產業網

第三代半導體產業 公號

 

北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

贊助支持單位

 

 時間：2021年9月13-14日

地點：南京·城市名人酒店（江蘇省南京市鼓樓區中山北路30號）