日前，SiC & GaN功率器件設計和方案商派恩杰官方正式宣告與德國Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團隊。
派恩杰負責市場與銷售的副總裁高治廷先生表示：“過去三年，派恩杰潛心研發，已經發布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、650V , 1200V , 1700V , 750V SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件，這些產品在海內外都已經被一些一線客戶導入使用。經第三方機構&全球一線客戶實機測試驗證，產品性能已達國際一流水平。我們爭取成為在海外市場最大份額的中國SiC & GaN品牌。”
據了解，派恩杰是成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，目前已是國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。其創始人黃興是美國北卡州立大學博士，師承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE終身會員，美國科學院院士，IGBT發明者，奧巴馬授予國家技術創新獎章）與Dr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 發射極關斷晶閘管（ETO）的發明者），在Cree / RFMD(Qorvo) / USCi等有長達十年的SiC & GaN功率器件設計經驗，累計發布10余篇科技論文，超過350次引用，20余項專利發明，技術實力非常強。
為此，2019年3月，派恩杰成立僅6個月即發布了第一款可兼容驅動650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技術的1200V SiC MOS，填補了國內空白。2020年先后發布用于5G數據中心、服務器與工業輔助電源的650V、1700V工業級MOS以及用于車載充電機的650V車規級MOS。2021年2月發布1200V大電流車規級MOS，應用于電動汽車電驅單管及模塊。
官方資料顯示，派恩杰的SiC晶圓是由全球晶圓代工龍頭企業X-FAB生產制作的。X-Fab是全球第一家提供150mm SiC工藝的foundry，同時也是當前全球具備規模化量產能力的SiC晶圓代工廠TOP3，產能和品質都很可靠。
