會上，湖南國芯半導體科技有限公司總經理戴小平做了題為“SiC模塊封裝技術探討“的主題報告。他表示，面對降低能耗、延長續(xù)航里程的要求，電動汽車迫切需要進一步提高電驅動系統(tǒng)的功率密度、能量效率和可靠性；SiC 功率器件技術可以提高電驅動系統(tǒng)功率密度和整車能效；銀燒結技術、新材料和先進的封裝技術能夠最大程度的發(fā)揮SiC器件的性能。報告還詳細介紹了銀燒結雙面散熱技術、DTS、絕緣金屬基板（Insulated metal baseplate ，IMB ）封裝技術優(yōu)缺點。

 

嘉賓簡介

戴小平，教授級高級工程師，湖南國芯半導體科技有限公司總經理。一直從事IGBT、SiC、IGCT等功率半導體器件的研究、制造與管理，先后主持多項國家重大科技專項課題，多項科研成果獲得省部級獎勵。申請專利70余項，發(fā)表論文30余篇。