碳化硅（SiC）功率MOSFET器件具有導通電阻低、擊穿電壓高、開關速度快及熱傳導性好等優點，相比傳統的Si基功率MOSFET器件，可簡化功率電子系統的拓撲結構，減小系統損耗和體積，促進系統小型化。目前，國內外學者已對SiC-MOSFET器件結構、工藝及電學特性等展開了廣泛研究，新型器件不斷涌現。
9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產業網、第三代半導體產業主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導。
會上，東南大學教授劉斯揚做了題為“SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展”的主題報告，由于SiC/SiO2界面勢壘低、界面缺陷密度大及SiC歐姆接觸穩定性差等問題，使得SiC-MOSFET在高環境溫度、高工作電壓、大驅動電流及快速開關等極限條件下應用時，可靠性問題嚴峻。報告針對SiC-MOSFET器件在電熱應力下的可靠性損傷機理、表征方法、壽命模型及新結構等近期研究進展進行闡述和交流。
嘉賓簡介
劉斯揚，長期致力于功率半導體器件基礎理論及關鍵技術的研究。獲江蘇省科學技術一等獎、教育部技術發明一等獎，入選 “國家裝備預研青年人才”，“江蘇省333高層次人才培養工程—中青年學術帶頭人”。發表IEEE TPE、EDL、TED等期刊論文74篇 (其中第1作者28篇)，授權美國專利3項，中國發明專利37項。主持國家自然科學基金、國家重點研發計劃等項目12項。
