9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術(shù)市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導。
會上，北京大學物理學院高級工程師楊學林帶來了“Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進展”的主題視頻報告，報告提出采用Ga空位工程，在Si（111）襯底上實現(xiàn)高質(zhì)量的GaN厚膜。研究了C雜質(zhì)與位錯相互作用，獲得高遷移率GaN薄膜材料。揭示了AlN/Si界面寄生電導的產(chǎn)生機理并提出抑制方法。
嘉賓簡介
楊學林，近年來在Si襯底上GaN基材料的MOCVD外延生長、C雜質(zhì)的摻雜調(diào)控、缺陷影響電子器件可靠性的機理研究等方面取得了多項進展。在知名期刊上共發(fā)表SCI論文70多篇，申請/授權(quán)國家發(fā)明專利10多件。
