9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會(huì)由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。

 

GaN基垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）由于在微顯示、固態(tài)照明、高密度光存儲(chǔ)、高分辨率打印以及生物傳感等方面有著廣泛的應(yīng)用前景，吸引了眾多研究者的注意。相比于邊發(fā)射激光器，VCSEL具有閾值低、發(fā)散角小、調(diào)制速率高、以及輸出光束呈圓對(duì)稱等優(yōu)點(diǎn)，且可制備成高密度二維器件陣列。在近20年中，GaN基VCSEL相關(guān)研究取得快速進(jìn)展, 已成為下一代半導(dǎo)體激光器的研究熱點(diǎn)，多家大型企業(yè)如日亞、索尼、松下、斯坦雷電器等都已開始相關(guān)布局。目前，發(fā)光波長(zhǎng)覆蓋從紫光至綠光波段的GaN基VCSEL均已實(shí)現(xiàn)電注入激射，藍(lán)光波段器件性能已接近實(shí)用化水平。在紫外方面，UVC-UVA波段的GaN基VCSEL也已實(shí)現(xiàn)光泵浦激射。

廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院助理教授梅洋分享了題為“氮化鎵基VCSEL技術(shù)進(jìn)展”的主題視頻報(bào)告，報(bào)告指出，GaN基VCSEL目前關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)主要在于高反射率布拉格反射鏡（DBR）的外延生長(zhǎng)、器件內(nèi)部橫向光場(chǎng)調(diào)控、高效電流注入、以及器件散熱等。報(bào)告著重介紹了在藍(lán)光、綠光、以及紫外VCSEL中取得的最新研究進(jìn)展、諧振腔內(nèi)光場(chǎng)及損耗的調(diào)控、以及改善器件散熱性能的有效方法。