9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產業網、第三代半導體產業主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導。
蘇州能訊高能半導體有限公司Amagad Ali Hasan博士分享了《基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢和挑戰》的主題報告，建模技術是連接器件制造和IC設計的重要節點，對整個IC系統產生影響。報告從基于物理的模型意義、物理模型的分類、GaN模型綜述、建模挑戰、溫度和濃度模擬以及建模遠景進行了詳細介紹。
涉及到基于物理的緊湊模型、Angelov-GaN 模型、MVSG (MIT) 模型、ASM 模型等?；谖锢淼木o湊模型挑戰涉及提高模型的可靠性和準確性、提高設計IC的可預測性、更深入地了解設備物理、將技術與設備響應相關聯、研究相位和幅度互調等非線性過程、準確估計通道溫度、具有非線性熱導率的通道溫度、通道溫度計算的通用方法、通道溫度計算的通用方法等。
