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貝思科爾邱志國:第三代半導體器件的熱測試與仿真解決方案

日期:2021-10-08 來源:半導體產業網閱讀:357
核心提示:。報告詳細分享了基于Simcenter T3Ster/PWT的熱可靠性測試解決方案和基于Simcenter FloTHERM/FloEFD的熱仿真解決方案等內容。
半導體器件仿真技術能有效突破器件實驗表象,可視化器件內部最根本的物理機制,加深對半導體器件物理的理解,助力于半導體器件架構的優化和制。
 
近日,由半導體產業網、第三代半導體產業(公號)、博聞創意會展(深圳)有限公司主辦的“2021第三代半導體技術及充電產業合作論壇”在“ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統展”同期舉行。
 邱志國
會上,深圳市貝思科爾軟件技術有限公司總經理邱志國帶來了“第三代半導體器件的熱測試與仿真解決方案”的主題報告,分享了最新成果。功率半導體器件又稱電力電子器件,主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件(通常指電流為數十至數千安,電壓為數百伏及以上)。功率半導體器件主要有功率模組、功率集成電路(即Power IC,簡寫為PIC,又稱為功率IC)和分立器件三大類。
 
功率模組是將多個分立功率半導體器件進行模塊化封裝;功率IC對應將分立功率半導體器件與驅動/控制/保護/接口/監測等外圍電路集成;分立功率半導體器件則是功率模塊與功率IC的關鍵。高溫是半導體可靠性故障的主要原因,熱設計對電子產品的重要性。報告詳細分享了基于Simcenter T3Ster/PWT的熱可靠性測試解決方案和基于Simcenter FloTHERM/FloEFD的熱仿真解決方案等內容。
 
涉及先進的熱測試方法:電學測試法(ETM),溫度系數(K Factor)測試,瞬態熱測試原理及結構函數(Structure Function),結構函數,熱阻模型的精細化:結構函數與熱分布的關系,實測案例---器件內部結構可視化,基于PowerTester實現功率半導體模塊熱可靠性、壽命預測,CFD熱仿真流程步驟,基于FloTHERM/FloEFD完成IGBT熱仿真分析等。



 
 
嘉賓簡介
邱志國,從事PCB制造及電子裝聯3年,EDA(電子設計自動化)/CAE(計算機輔助工程)7年,主要研究半導體芯片原理圖、版圖設計及物理驗證,以及電子產品散熱仿真及IGBT模塊功率循環(Power Cycling)測試方案;擁有豐富的產品線市場推廣方案及項目合作經驗。
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