SiC和GaN作為第三代半導體材料的先鋒，以其三大特性：開關頻率高、禁帶寬度大、導通電阻低，使得新一代通用電源在縮小容積以及提升充電速度方面都有了長足進步。
近日，由半導體產業網、第三代半導體產業（公號）、博聞創意會展（深圳）有限公司共同主辦的“2021第三代半導體技術及充電產業合作論壇”在“ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統展”同期舉行。
第三代半導體設備技術是第三代半導體技術發展的重要支撐和基礎。會上，山東力冠微電子裝備有限公司銷售總監孫軍偉做了題為“第三代半導體晶體生長及相關裝備進展”的主題報告，6寸碳化硅單晶生長難點（感應加熱方式）涉及原料區和生長區的溫度需要獨立控制；腔室真空度及泄漏率難以降低背景氮雜質濃度，導致摻雜不可控；高溫下，保溫損耗和變形，導致溫場穩定性、一致性差等，主要解決方法包括雙線圈分區控制，優化密封技術，減少氮雜質；獨特的坩堝旋轉，降低對坩堝溫場的影響等。
山東力冠是專門從事晶體生長設備、半導體工藝裝備的一家專業裝備生產商，報告分享了HVPE設備、氮化鋁PVT設備、導模法單晶生長設備、SIC芯片熱處理設備等的新進展。
