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三星宣布量產(chǎn)14納米EUV DDR5 DRAM

日期:2021-10-12 閱讀:308
核心提示:三星電子宣布開始量產(chǎn)基于極紫外光(EUV)技術(shù)的14納米(nm)DRAM。繼2020年3月推出首款EUV DRAM后,三星電子又將EUV層數(shù)增加至5層,為其DDR5解決方案提供更為優(yōu)質(zhì)、先進的DRAM工藝。
三星電子宣布開始量產(chǎn)基于極紫外光(EUV)技術(shù)的14納米(nm)DRAM。繼2020年3月推出首款EUV DRAM后,三星電子又將EUV層數(shù)增加至5層,為其DDR5解決方案提供更為優(yōu)質(zhì)、先進的DRAM工藝。
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圖片來源:三星電子官網(wǎng)截圖
 
據(jù)介紹,三星電子5層EUV工藝14納米DRAM具有業(yè)界最高的晶圓密度,與上一代相比,整體晶圓生產(chǎn)率提高了約20%。此外,三星電子14納米DRAM產(chǎn)品的功耗相比上一代DRAM工藝降低了約20%。
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圖片來源:三星電子官網(wǎng)
 
三星計劃擴展其14納米DDR5產(chǎn)品組合,以支持數(shù)據(jù)中心、超級計算機和企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用。另外,三星預(yù)計將其14納米DRAM芯片容量提升至24Gb,以更好滿足全球IT系統(tǒng)快速增長的數(shù)據(jù)需求。 
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