1、功率分立器件產量和產值持續上漲
功率半導體分立器件指額定電流不低于1A，或額定功率不低于1W的半導體分立器件。2015-2020年，中國功率半導體分立器件產量和產值均呈現持續上漲的趨勢。2020年，中國功率半導體分立器件產量為4885億只，較2019年同比增長8%。2020年，中國功率半導體分立器件產值達到165.6億元，較2019年同比增長3%。
2、MOSFET產品優勢凸顯、需求量大
功率半導體分立器件可以進一步劃分為功率二極管、功率晶體管和功率晶閘管三大類，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均屬于功率晶體管的范疇，SCR、GTO和IGCT則屬于功率晶閘管的范圍內。功率晶體管中，MOSFET和IGBT屬于全控型分立器件，MOSFET根據應用特性的不同，還包括平面型功率MOSFET、溝槽型功率MOSFET、超結功率MOSFET和屏蔽柵功率MOSFET等多種類型。
MOSFET在分立功率半導體器件當中排名首位，2019年占市場規模的36.3%，其次為二極管、其他三極管(包括IGBT)及晶閘管，市場份額分別為32.2%、26.0%及5.5%。
MOSFET的優勢在于開關速度快、輸入阻抗高、熱穩定性好、所需驅動功率小且驅動電路簡單、工作頻率高以及不存在二次擊穿問題等方面;而功率二極管具有結構和原理簡單、工作可靠的優勢。基于產品自身的特點和優勢，MOSFET和二極管在功率分立器件市場中占據近70%的市場規模。在MOSFET下游應用的快速發展基礎下，按MOSFET銷售額劃分的市場規模已由2015年的37億美元增至2019年的53億美元，復合年增長率約9.2%。
3、功率分立器件市場規模將繼續增長
展望未來，依據全球需求的普遍上升，加上中國制造分立器件如MOSFET、二極管及三極管的龐大產能，中國功率半導體分立器件市場規模預期將會持續增長。預計到2026年，中國功率半導體分立器件產量將超過16000億只，產值將超過500億元。
