11月1日，蘇州工業園區管理委員會公示了蘇州晶湛半導體有限公司新建氮化鎵外延片生產擴建項目環境影響報告書。
該報告書顯示，蘇州晶湛半導體有限公司成立于2012年3月，租用蘇州納米科技發展有限公司位于蘇州納米城西北區19棟的廠房，從事氮化鎵電子材料和光電材料的研發。
本次項目擬投資28000萬元進行異地擴建，在蘇州工業園區百川街西、南蕩田巷北自購土地建設新廠區，建成后年產氮化鎵外延片24萬片。其中，6英寸和8英寸氮化鎵外延片年產能均為12萬片，用于制造微波功率器件和電力電子功率器。
項目預計2021年11月開工建設，2023年2月完成建筑施工。
晶湛半導體官網介紹，2014年底，晶湛半導體在全球首家發布其商品化8英寸硅基氮化鎵外延片產品，經有關下游客戶驗證，該材料具備全球領先的技術指標和卓越的性能，并填補了國內乃至世界氮化鎵產業的空白。截至目前，晶湛半導體已完成A+輪融資，用于擴大生產規模，150mm的 GaN-on-Si 外延片的月產能達1萬片。目前，晶湛半導體已擁有全球超過150家的著名半導體公司、研究院所客戶。
