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聞泰科技:碳化硅(SiC)產品目前已經交付了第一批晶圓和樣品

日期:2021-11-04 閱讀:304
核心提示:在化合物半導體產品方面,目前氮化鎵已推出硅基氮化鎵功率器件(GaN FET),已通過AEQC認證測試并實現量產,碳化硅技術研發也進展順利,碳化硅二極管產品已經出樣。
聞泰科技(600745.SH)11月3日在投資者互動平臺表示,安世半導體在行業推出領先性能的第三代半導體氮化鎵功率器件 (GaN FET),目標市場包括電動汽車、數據中心、電信設備、工業自動化和高端電源,特別是在插電式混合動力汽車或純電動汽車中,氮化鎵技術是其使用的牽引逆變器的首選技術。目前公司的650V氮化鎵(GaN)技術,已經通過車規級測試。碳化硅(SiC)產品目前已經交付了第一批晶圓和樣品。 2021年上半年,公司半導體業務研發投入3.93億元(全年規劃9.4億元),進一步加強了在中高壓Mosfet、化合物半導體產品SiC和GaN產品、以及模擬類產品的研發投入。在化合物半導體產品方面,目前氮化鎵已推出硅基氮化鎵功率器件(GaN FET),已通過AEQC認證測試并實現量產,碳化硅技術研發也進展順利,碳化硅二極管產品已經出樣。
 
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