11月9日，第四屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議在廈門勝利閉幕。
在閉幕大會報告環(huán)節(jié)，香港科技大學(xué)劉紀(jì)美教授、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員、英國謝菲爾德大學(xué)王濤教授、北京大學(xué)理學(xué)部副主任沈波教授、臺灣交通大學(xué)郭浩中教授、山東大學(xué)副教授彭燕等嘉賓帶來了精彩報告。沈波教授和半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員李晉閩共同主持了閉幕大會報告環(huán)節(jié)。
北京大學(xué)理學(xué)部副主任沈波教授主持大會報告環(huán)節(jié)
香港科技大學(xué)劉紀(jì)美教授云視頻報告
香港科技大學(xué)劉紀(jì)美教授遠程視頻的方式帶來了題為“高性能GaN垂直溝槽柵極MOSFET”的主題報告，具體分享了GaN功率晶體管：橫向和縱向設(shè)計;GaN垂直溝槽MOSFET的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)；不同清洗處理器的設(shè)備結(jié)果；具有厚底電介質(zhì)的器件設(shè)計；厚底電介質(zhì)工藝等內(nèi)容。
中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員
中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員詳細分享了氮化鎵單晶材料的HVPE法與液相法生長研究的最新成果。涉及GaN在尺寸Si襯底上的MOCVD外延生長、GaN在藍寶石襯底上的MBE外延生長，HVPE方法和生長裝備，HVPE生長GaN單晶襯底的現(xiàn)狀，從界面到表面的應(yīng)力調(diào)控和應(yīng)力分布，HVPE方法生長GaN的厚度和位錯密度的關(guān)系，生長界面調(diào)控和應(yīng)力調(diào)控，降低位錯密度，氨熱法生長GaN的原理和裝備等。報告同時指出，GaN單晶材料生長的關(guān)鍵難題是面臨各類器件的特殊需求的挑戰(zhàn)，比如更大的晶面尺寸，更高的晶體質(zhì)量，更優(yōu)異的光學(xué)質(zhì)量，更優(yōu)異的電學(xué)性能，合適的鏡面取向，更低的成本等。
英國謝菲爾德大學(xué)王濤教授云視頻報告
英國謝菲爾德大學(xué)王濤教授遠程視頻的方式分享了關(guān)于用于微型顯示器和VLC的μLED和HEMT的，一種實現(xiàn)單片片上集成的直接外延方法。涉及到μLED顯示屏的當(dāng)前狀態(tài)、內(nèi)量子效率、外延生長，在單芯片上實現(xiàn)單片集成μLED/HEMT微顯示的外延等。報告指出，研究開發(fā)出了一種新的選擇性外延方法，在不涉及任何干蝕刻的情況下實現(xiàn)微型 LED；新的選擇性外延方法，以集成具有最高EQE和最窄光譜線寬的μLED/晶格匹配DBR等。
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員主持大會報告環(huán)節(jié)
北京大學(xué)理學(xué)部副主任沈波教授分享大會報告
AIN是具有戰(zhàn)略意義的超寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度6-2eV,高擊穿場強11.7MV/cm,高熱導(dǎo)率3.41W/cm.K，具有二階和三階光學(xué)非線性。與GaN晶格失配率2.4%，熱膨脹系數(shù)非常接近，在深紫外光電器件，高功率密度電子器件、濾波器、非線性光學(xué)器件等領(lǐng)域，具有不可替代的重要應(yīng)用。北京大學(xué)沈波教授做了題為“高質(zhì)量AIN單晶襯底和外延薄膜的制備”的主題報告，具體分享了AIN單晶襯底的PVT生長，藍寶石上AIN薄膜的MOCVD外延生長，Si襯底上AIN薄膜的MOCVD外延生長等最新研究進展。報告指出，AIN單晶襯底和高質(zhì)量AIN外延薄膜是寬禁帶半導(dǎo)體器件發(fā)展的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，是國家的戰(zhàn)略需求，也是國際上尚未攻破的難題之一。研究創(chuàng)新發(fā)展了“蔓延式PVT生長”方法，研制了PVT專用裝備，初步解決了一系列技術(shù)難題，成功研制出2英寸AIN晶體和襯底晶片。創(chuàng)新發(fā)展了“小合攏區(qū)NPSS側(cè)向外延”方法，藍寶石襯底上AIN外延層XRD搖擺曲線半高寬132（002）/140（102）arcsec;AIGaN基MQW發(fā)光波長276nm時IQE達83.1%，p-AIGaN基MQW發(fā)光波長276nm時IQE達83.1%。研究也創(chuàng)新發(fā)展了“納米圖形化符合AIN/Si襯底”技術(shù)，Si襯底上AIN外延薄膜XRD搖擺曲線半高寬409（002）/677（102）arcsec .
臺灣交通大學(xué)郭浩中教授云視頻報告
臺灣交通大學(xué)郭浩中教授介紹了用于全彩顯示和VLC的新型 microLED的最新技術(shù)成果以及相關(guān)應(yīng)用的研究進展，包括下一代顯示技術(shù)，MicroLED的全彩挑戰(zhàn)、嵌入量子點的高均勻性和高效率納米多孔GaN用于顏色轉(zhuǎn)換MicroLED顯示器，具有VLC應(yīng)用潛力的高穩(wěn)定性全彩顯示設(shè)備，高速綠色半極性等。
山東大學(xué)副教授彭燕云視頻報告
“芯片之爭就是材料之爭，沒有材料核心技術(shù)，就相當(dāng)于在別人的地基上蓋房子，再大也不堪一擊”，一代材料，一代芯片，半導(dǎo)體材料具有核心地位，當(dāng)前從研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)，進入產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展期，“十四五”開局之年，國家啟動了多項第三代半導(dǎo)體項目，涉及新型顯示和戰(zhàn)略電子材料、高性能制造技術(shù)與重大裝備等，政策支持力度更大，資產(chǎn)市場活躍。也面臨著應(yīng)用市場需求增長等機遇。山東大學(xué)副教授彭燕通過云視頻方式帶來了題為“碳化硅單晶襯底的研究進展”的主題報告，分享了SiC材料研究進展及產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀等內(nèi)容，包括SiC功率器件，SiC基射頻器件，SiC生長系統(tǒng)，SiC中位錯缺陷等。其中，報告指出，國內(nèi)SiC商業(yè)化襯底以4英寸為主，逐步向6英寸過渡。微管密度小于1個/cm2 ，實現(xiàn)95%的襯底可用面積，存在單晶性能一致性差，成品率低下啊，成本高等問題，國產(chǎn)高性能襯底自給率仍然較低，占全球的市場份額不到5%等，
廈門大學(xué)康俊勇教授主持大會閉幕環(huán)節(jié)
大會組委會秘書處高娜秘書長
大會報告結(jié)束后，廈門大學(xué)康俊勇教授主持了大會閉幕式環(huán)節(jié)，本次會議組委會秘書處高娜秘書長代表組委會介紹了本屆會議籌辦情況。她表示，本次會議得到了業(yè)界、學(xué)界廣泛的支持與積極參與，感謝主辦單位及所有現(xiàn)場參與單位和代表的暖心支持和幫助，也感謝默默守候在云端，與我們進行學(xué)術(shù)交流的專家學(xué)者們，感謝大會主席張榮校長，大會執(zhí)行主席康俊勇教授不顧疲憊的細心指導(dǎo)每個細節(jié)，衷心感謝廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組，以及所有臺前幕后老師和志愿者們的辛勤付出。會議為期兩天，包含開閉幕式兩場大會，大會報告12個，邀請報告58個，口頭報告71個，海報展示186個，并設(shè)計了五個分會場，五個分論壇。根據(jù)注冊統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示參會代表超過600人，因疫情原因?qū)嶋H參會代表超過500人，線上開閉幕式報告直播觀看人次超過13000+。
張榮校長、張國義教授、徐科研究員為優(yōu)秀青年論壇邀請報告獲獎?wù)哳C獎
黎大兵研究員、劉斌教授為最佳海報獎獲獎?wù)哳C獎
此外，閉幕式上，廈門大學(xué)張榮校長、北京大學(xué)張國義教授、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員共同為優(yōu)秀青年論壇邀請報告頒獎，長春光學(xué)精密機械與物理研究所博導(dǎo)黎大兵研究員與南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長劉斌教授共同為本次會議最佳海報獎獲得者頒發(fā)獎勵。
康俊勇教授宣布大會閉幕
最后，康俊勇教授介紹了大會委員會會議討論情況，并對下一屆會議的組織籌備充滿期待，并宣布本屆大會圓滿閉幕！
同時，大會組委會為豐富參會代表本次學(xué)習(xí)行程，11月10日，還特別組織安排考察三安光電股份有限公司和集美學(xué)村—集美大學(xué)。
【特別說明】
此次大會同時開通了開閉幕式精彩主題報告現(xiàn)場直播，更有圖片直播實時呈現(xiàn)，與業(yè)界共享精彩內(nèi)容，更多詳細豐富內(nèi)容可點擊以下鏈接觀看：
