近日，國星光電在接受投資者調研時表示，公司聚焦Mini/Micro LED超高清顯示領域， 持續推出有核心競爭力的產品系列：Mini LED方面，公司研發覆蓋了Mini直顯P0.4到P0.9全系列產品，其中 Mini LED P0.4系列產品為全球首發，采用獨創 20in1 封裝方式，是目前全球封裝密度最高的Mini產品；Mini背光方面，公司儲備Mini POB、Mini COB、Mini COG三大技術路線，可滿足不同客戶定制化需求。

 

Micro LED方面，國星光電發揮子公司國星半導體與本部上下游聯動優勢，巨量轉移工藝取得突破性進展，產品良率高，同時國星半導體已開發了面向于P0.3間距及面向P0.1間距的Micro LED芯片系列，并實現小批量供貨給國星光電研究院。

 

國星光電稱，目前國星半導體以 RGB芯片、倒裝芯片、紫光芯片等利基型產品為主，同時研發布局Mini和Micro領域，形成了Mini背光和Mini顯示兩大系列的芯片產品，同時發揮上下游垂直聯動的優勢，協同本部研究院進行Micro LED關鍵技術的攻關；在第三代半導體領域，聯合多所高校及研究所，發揮產學研協同優勢，展開GaN功率器件、紫外探測器芯片、深紫外UVC芯片等方向的研發工作，參與兩項第三代半導體方向的省級研發項目。

 

對于第三代半導體的布局，國星光電表示，公司一直高度關注三代半領域的技術發展與技術研究，致力于打造高可靠性、高品質的功率器件封測業務。在上游芯片領域，公司有布局硅基氮化鎵的外延芯片；中游封裝領域，公司已建成第三代半導體功率器件實驗室及試產線；下游應用領域公司也在積極與相關企業洽談戰略性合作，并針對客戶的應用需求定制開發樣品等。

 

首先，LED封測轉向氮化鎵封測在技術上、工藝上、可靠性、能力上具有天然的優勢；其次，公司下游客戶也會用到第三代半導體相關功率器件，具有客戶渠道協同的優勢；同時，公司還具有外延芯片上的技術積累優勢，子公司國星半導體有硅基氮化鎵芯片相關技術儲備。