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IFWS& SSLCHINA 2021前瞻:氮化鎵功率器件論壇最新日程出爐

日期:2021-11-29 來源:半導體產業網閱讀:377
核心提示:“IFWS& SSLCHINA 2021:功率電子器件與應用論壇(氮化鎵功率器件專場)“將于12月7日舉行
氮化鎵功率器件 (1)
2021年12月6-8日,以“創芯生態 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)聯合主辦,北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。
 
期間,“IFWS 2021:功率電子器件與應用論壇(氮化鎵功率器件專場)“將于12月7日上午舉行,特邀電子科技大學教授張波,西安電子科技大學副校長、教授張進成,中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢主持。會上,特別邀請到加拿大多倫多大學教授吳偉東,南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇,中國科學院蘇州納米所研究員孫錢,深圳大學微電子研究院院長助理、材料學院研究員劉新科,北京大學物理學院高級工程師楊學林,華南理工大學李國強/李善杰,美國Analog 設備公司張薇葭,電子科技大學電子薄膜與集成器件國家重點實驗室李曦,西安電子科技大學王婷婷等代表性先進研究力量,分享氮化鎵功率器件技術的最新進展。
 
作為一年一度的行業盛會,論壇及同期活動將全面呈現第三代半導體產業動向及技術趨勢,為除了開幕大會、本屆論壇設有功率電子器件與應用論壇、射頻電子器件與應用論壇、半導體照明與應用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態紫外器件與應用論壇、車用半導體創新合作峰會、第三代半導體產教融合發展論壇、電力電子標準與檢測研討會等超30場次論壇活動。聚焦第三代半導體功率電子技術、光電子技術、射頻電子技術的國內外前沿進展;第三代半導體功率電子技術、光電子技術、射頻電子技術的產業發展戰略與機遇;第三代半導體材料相關技術與新一代信息技術、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產業的相互促進與深度融合;產業鏈、供應鏈多元化與核心技術攻關等。也歡迎業界同仁參與其中,對接資源,洽談商機,共商產業發展大計。
 
部分嘉賓簡介

張進成

西安電子科技大學副校長、教授

張進成,博士,二級教授,博士生導師,教育部長江學者特聘教授,領軍人才,卓越青年基金獲得者,國務院政府特殊津貼專家,陜西省三秦學者特聘教授。現任西安電子科技大學副校長、寬禁帶半導體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導體技術國家級重點實驗室副主任,曾擔任ICNS、DRIP、APWS等國際學術會議電子器件分會主席,微電子學院副院長,科學研究院院長。主要研究領域為寬禁帶與超寬禁帶半導體材料與器件,發表SCI論文300余篇,出版專著3部,授權發明專利80余項,成果6次被國際著名雜志Semiconductor Today專題報道。獲得國家技術發明二等獎2項(排名第一和第二),省部級科技一等獎4項以及國家教學成果一等獎1項。1998年起師從中國科學院院士郝躍教授,從事寬禁帶半導體電子材料與器件研究,是我國乃至國際上最早開展寬禁帶(第三代)半導體電子器件與材料研究的知名學者之一。


吳偉東
吳偉東,加拿大多倫多大學電子與計算機工程學部教授,其研究領域涵蓋智能功率半導體器件及其制作工藝,尤其擅長功率管理集成電路、集成電源開關和集成D類音頻功率放大器的開發。1990年獲得多倫多大學的博士學位后,吳教授加入德州儀器公司,開發適用于汽車應用的功率晶體管。1992年吳教授加入香港大學開始學術研究生涯。1993年,吳教授加入多倫多大學,組建了智能功率集成電路和半導體器件研究團隊,他于1998年和2008年分別晉升為副教授和正教授,他擁有智能功率集成電路和射頻領域CMOS技術研發與改進的豐富閱歷。吳教授是多倫多納米制造中心主任和多倫多大學開發獲取研究中心主任。吳教授自2009年起擔任IEEE電子器件快報的副主編。
張 波

電子科技大學教授

張波,教授,博士生導師,電子科技大學集成電路研究中心主任。國家自然科學基金委員會第十二屆專家評審組專家;國家“核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產品”科技重大專項總體組專家(2008-2013);國家“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”科技重大專項總體組特聘專家;國家集成電路人才培養基地專家組專家;中國半導體行業協會理事;中國電工技術學會電力電子學會理事;四川省電子學會半導體集成技術專委會主任等。1985年本科畢業于北京工業學院(現北京理工大學)半導體專業,同年推薦免試進入成都電訊工程學院(現電子科技大學)修讀半導體專業工學碩士學位。1988年4月研究生畢業后留校工作于微電子科學與工程系,1990年被評為助理研究員(講師),1994年7月破格晉升副教授。1996年5月,受國家教委委派,以高級訪問學者身份赴美國Virginia理工大學進修,1996年11月-1999年11月,在美國國家工程中心功率電子系統中心(CPES)繼續從事研究工作,參加了由美國科學基金、美國海軍部、Intel公司、HARRIS公司等資助的十余項科研項目研究。1999年11月回國工作,2000年7月被破格晉升教授,2002年被聘為博士生指導教師。2000年被評為四川省跨世紀青年學科帶頭人,2002年教育部“高校青年教師獎”獲得者,2005年被評為成都市“十大杰出青年”,政府特殊津貼獲得者,成都市有突出貢獻優秀專家,四川省有突出貢獻優秀專家,四川省學術和技術帶頭人,2013年入選國家“有突出貢獻中青年專家”和“國家百千萬人才工程”。從1980年代起即致力于新型功率半導體技術研究,在功率半導體領域發表SCI收錄論文200余篇、EI收錄論文300余篇,獲中美發明專利授權80余項,獲國家科技進步二等獎等國家及部級科研獎勵11項(其中牽頭獲得2010年國家科技進步二等獎)。所領導的實驗室在功率半導體領域已培養出博士50名、碩士600余名。在教學與學術研究的同時為境內外企業成功開發了百余種(款)功率半導體領域新工藝和新產品,實現銷售數億只。

于洪宇
于洪宇,南方科技大學深港微電子學院院長、教授,于洪宇教授代表南科大與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟共同成功籌建深圳第三代半導體研究院,并擔任副院長。與清華大學共同牽頭成功籌建廣東省未來網絡高端器件制造業創新中心,成功籌建南科大深港微電子學院(被教育部批準為國家示范性微電子學院)以及未來通信集成電路教育部工程研究中心。牽頭組建深圳市第三代半導體重點實驗室、廣東省GaN器件工程技術中心,并成立團隊。
于洪宇教授在集成電路工藝與器件方面,包括CMOS、新型超高密度存儲器、GaN器件與系統集成(GaN HEMT) 、以及電子陶瓷方面發表學術論文近400篇,其中近180篇被SCI收錄,總他引次數近5000次,H 影響因子為39。編輯2本書籍并撰寫了4本專業書籍的章節。發表/被授予近20 項美國/歐洲專利以及30項以上國內專利。產學研方面,在第三代半導體領域承擔了與華為/方正微電子等公司的橫向課題,使得GaN功率器件在其公司的p-line生產,目前承擔一項6寸硅基GaN功率器件產業化的廣東省重大專項。在電子陶瓷領域創辦南灣通信科技有限公司,成功吸引天使投資1500萬用于量產介質濾波器。
孫錢
孫錢,中國科技大學材料物理和計算機科學與技術雙學士(郭沫若校長獎獲得者)、美國耶魯大學博士(耶魯工學院Becton獎獲得者),國家技術發明一等獎獲得者,國家優秀青年基金獲得者,首批國家特聘青年專家,江蘇省“雙創人才”,中國電子學會優秀科技工作者。現任中科院蘇州納米所研究員、博導、器件部副主任。長期致力于硅基III族氮化物半導體材料生長與光電子及功率電子器件制備研究。通過與企業的產學研實質性合作,帶領團隊研發出硅襯底GaN基高效LED的外延及芯片技術,并在全球率先產業化,年銷售逾4億元。2016年成功研制出國際上首支硅襯底GaN基激光器,入選中國光學重要成果和科技部高新技術領域創新進展報告。近5年來主持承擔了國家重點研發計劃課題、863計劃課題、中科院前沿科學重點研究項目、中科院科技服務網絡STS計劃區域重點項目、江蘇省重點研發計劃項目等。迄今為止,在Nature Photonics、Light: Science & Applications等國際學術期刊上發表了100余篇學術論文,是30余項美國和中國發明專利的發明人。應邀在國際氮化物半導體學術會議和產業論壇上作特邀報告40余次。現兼任中國物理學會發光分會第十四屆委員會委員、中國激光雜志社青年編輯委員會委員、《半導體學報》第十二屆編輯委員會委員、《發光學報》第一屆青年編輯委員會委員、SEMI中國功率及化合物半導體委員會委員。
李國強
李國強,華南理工大學材料學院教授,博士生導師,主要研究方向為光電半導體材料與器件。長期從事光電化合物半導體材料(主要為III-V族及II-VI族化合物半導體)的制備、缺陷控制及相關器件(主要為LED及太陽能電池等)研究,并取得優秀成果。發表學術論文120余篇, 論文他引1200余次。主要研究領域包括:1. 化合物半導體的外延生長及缺陷控制;2. 化合物半導體的化學合成;3. 化合物半導體器件(LED及太陽能電池)制備;4. 化合物半導體材料的微觀結構與器件的性能模擬;5. 非晶態材料的原子結構(實驗及理論計算)。
劉新科
劉新科,深圳大學微電子研究院院長助理、材料學院研究員,新加坡國立大學訪問教授,廣東省自然科學基金杰出青年項目獲得者,長期從事寬禁帶氮化鎵以及氮化鎵異質結的半導體器件研究,在Adv. Mater., Adv.Funct.Mater., 等知名期刊發表第一或通信作者SCI收錄論文93篇,申請專利50項,授權專利12項并完成轉讓,科研成果被Semiconductor Today,MaterialsviewChina多次報道,科研成果被Photonic Research 和Advanced Electronic Materials選為封面文章。目前承擔國家科技部重點研發計劃課題和任務各一項、國家自然科學基金兩項、廣東省重點研發計劃課題三項,深圳市基礎研究布局一項、深圳市技術攻關一項等10多項科研項目。
楊學林,2004年獲吉林大學學士學位,2009年獲北京大學理學博士學位,2009-2012年在日本東京大學從事博士后研究,目前為北京大學寬禁帶半導體研究中心高級工程師,國家優秀青年科學基金獲得者(2019年)。近年來主要圍繞Si襯底上GaN基功率電子材料和器件開展研究工作,在Si基GaN厚膜及其異質結構的MOCVD外延生長、C雜質的摻雜機理、缺陷態影響電子器件可靠性等方面取得了多項成果。迄今共發表SCI論文70多篇,包括以第一/通訊作者在Phys. Rev. Lett.、Adv. Funct. Mater.、Appl. Phys. Lett.等期刊上發表SCI論文30篇。在本領域國內外學術會議上做邀請報告13次,申請/授權國家發明專利13件。主持和參加國家自然科學基金優青、面上、青年項目,國家重點研發計劃課題,廣東省重點研發計劃課題,863課題等10項科研任務,正在積極推動科研成果轉化。
  張薇葭,美國Analog 設備公司IC電源控制組設計工程師。

最新日程如下:
總F1-功率電子器件與應用論壇-B-氮化鎵功率器件_2_副本
備注:日程或有微調,皆以現場為準。

附件:論壇資料
第七屆國際第三代半導體論壇
暨第十八屆中國國際半導體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
 
IFWS & SSLCHINA 2021
 
國際第三代半導體論壇(IFWS)是第三代半導體產業在中國地區的年度盛會,是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會議以促進第三代半導體與電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作,引領第三代半導體新興產業的發展方向為活動宗旨,全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展,聯結產、學、研、用,提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。在過去的六年時間里,IFWS延請寬禁帶半導體領域國際頂級學術權威分享最前沿技術動態,已發展成具有業界影響力的綜合性專業論壇。
 
中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)是半導體照明領域最具規模、參與度最高、口碑最好的全球性專業論壇。論壇以促進半導體照明技術和應用的國際交流與合作,引領半導體照明產業的發展方向為活動宗旨,全面覆蓋行業工藝裝備、原材料,技術、產品與應用的創新發展,提供全球范圍的全產業鏈合作平臺,致力于拓展業界所關注的目標市場,以專業精神恒久締造企業的商業價值。在過去的十七年里,SSLCHINA邀請了包括諾貝爾獎得主在內的全球最頂級專家陣容,呈現了超過1800個專業報告,累計參會代表覆蓋全球70多個國家逾26500人次。
 
國際第三代半導體論壇與中國國際半導體照明論壇同時同地舉辦,同臺匯力,相映生輝,放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。
 
論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發表,IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。目前,論壇同期論文已開啟征集,論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發表,IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。

2021先進半導體技術應用創新展(CASTAS 2021)也同時招展中,歡迎業界人士的參與其中,對接資源,洽談商機,共商產業發展大計。
 
據了解,目前論壇組織工作正有序開展中,以下為會議最新信息:
 
論壇信息
會議時間:2021年12月6-8日
會議地點:深圳會展中心(福田區)
會議住宿:深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題:創芯生態  碳索未來
 
主辦單位
國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)
 
論文重要期限及提交方式
 口頭報告演示文件(PPT或PDF)與POSTER電子版提交截止日:2021年11月28日
備注:目前已經進入專家審稿程序,在全文提交截止前仍可繼續投稿,歡迎大家直接投全文!
IFWS & SSLCHINA 2021會議日程
備注:總體日程概覽或有微調,以現場為準。
注冊費用權益表
1124權益表

備注:

*國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)成員單位在此基礎上再享受10%優惠。

*學生參會需提交相關證件。

*會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。

*若由于某些原因,您繳費后無法參會,可辦理退款事宜,組委會將扣除已繳費金額的40%作為退款手續費。

*SSL相關會議包含:開幕大會、半導體照明與應用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態紫外器件與應用論壇、材料與裝備論壇、車用半導體創新合作峰會、第三代半導體產教融合發展論壇、生物農業光照技術研討會、閉幕儀式。

*IFWS相關會議包含:開幕大會、功率電子器件與應用論壇、射頻電子器件與應用論壇、材料與裝備論壇、固態紫外器件與應用論壇、車用半導體創新合作峰會、第三代半導體產教融合發展論壇、第三代半導體標準與檢測研討會、閉幕儀式。

*產業峰會包含:車用半導體創新合作峰會、第三代半導體產教融合發展論壇,以及部分論壇中的產業單元(包括照明設計與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應用、Mini/Micro-LED應用與產業、新一代電源應用技術、能源互聯網應用技術等會議單元)。

*餐飲包含:126日午餐、6日歡迎晚宴(大中華希爾頓酒店)、7日午餐+晚餐

報名優惠期
即日起至2021年12月3日之前,完成注冊繳費即可享受折扣票(詳見上圖),國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)成員單位在此基礎上再享受10%優惠。學生參會需提交相關證件。會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。
 
在線注冊
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聯系方式
1.論文咨詢
白女士
電話:010-82387600-602
郵箱:papersubmission@china-led.net
 
2.參會參展/贊助咨詢
賈先生
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18310277858
jiaxl@casmita.com
 
張女士
010-82387380
13681329411
zhangww@casmita.com

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