近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。
期間，“固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)“論壇上，鄭州大學(xué)Muhammad NawazSharif做了題為“銦摩爾分數(shù)對InGaN基近紫外發(fā)光二極管光學(xué)性能的影響”的視頻報告，分享了最新研究成果，報告顯示，InGaN基量子阱 (QW) 具有更高的穿透位錯密度 (TDD)，盡管TDD較高，但QW中的銦 (In) 波動會產(chǎn)生具有較高銦成分的局域激子。定域激子防止結(jié)合載流子非輻射復(fù)合，因銦成分較高而減少的非輻射復(fù)合導(dǎo)致自發(fā)發(fā)射率和內(nèi)量子效率 (IQE) 提高。
報告指出，盡管具有更高的TDD，基于InGaN的MQW具有更高的局域激子生成，這可以防止束縛載流子非輻射復(fù)合，從而提高性能。計算結(jié)果表明，隨著 InGaN MQW中銦成分的增加，輻射復(fù)合率和載流子注入效率提高，從而顯著提高了 IQE 和發(fā)射功率。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
