近日，第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。  期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料“論壇上，鄭州大學(xué)電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合研究中心主任、教授劉玉懷做了題為“六方氮化硼薄膜在不同襯底上的生長(zhǎng)研究綜述”的主題報(bào)告。六方相氮化硼薄膜（hBN）可望應(yīng)用于深紫外發(fā)光器件、中子探測(cè)器件以及電子器件的襯底層、介質(zhì)層或絕緣層，近年來hBN研究成果吸引了大量關(guān)注。報(bào)告展示hBN在不同襯底上的生長(zhǎng)比較，包括藍(lán)寶石襯底、氮化鋁/藍(lán)寶石模板、氮化鋁襯底以及金剛石襯底等。分享了在藍(lán)寶石、AlN/藍(lán)寶石模板和金剛石襯底上生長(zhǎng)的BN，觀察到在不同基板上生長(zhǎng)的所有BN薄膜的皺紋圖案，可以看到生長(zhǎng)的BN膜具有六重對(duì)稱性，表明形成了六邊形BN，B(~190 eV)和N(~401 eV)的K邊上的π*和σ*能量損失等最新研究成果。

 

劉玉懷，主要研究方向?yàn)榈锇雽?dǎo)體材料與器件，主持國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃政府間國際科技創(chuàng)新合作重點(diǎn)專項(xiàng)（基于氮化物半導(dǎo)體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、河南省科技攻關(guān)項(xiàng)目等13項(xiàng)。發(fā)表論文與會(huì)議報(bào)告215篇，國際會(huì)議邀請(qǐng)報(bào)告12次。日本專利公開1項(xiàng)、授權(quán)中國發(fā)明專利1項(xiàng)、實(shí)用新型項(xiàng)專利1項(xiàng)、軟件著作權(quán)5項(xiàng)。紫外LED技術(shù)轉(zhuǎn)移1項(xiàng)。目前主持第三批“智匯鄭州1125創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍團(tuán)隊(duì)”三色LED集成芯片項(xiàng)目，參與寧波市2025重大科技專項(xiàng)“深紫外LED產(chǎn)業(yè)化”。

 

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