近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。

 

期間，“固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)“論壇上，廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授黃凱做了題為“紫外光電器件中的極化激元和等離激元研究”的主題報告。通過引入極化子或等離子體激元等新概念，可以獲得具有新特性或高性能的光電子器件。報告展示了廈門大學(xué)在這方面取得的一些最新進展。

 

報告指出，研究首次在AlN中觀察到激子極化子在200nm波段的發(fā)光，真空中Rabi分裂達到44 meV，并觀察到激子極化子與聲子之間的耦合。外延生長高質(zhì)量AlN/GaN短周期SLs增強，光和激子耦合顯著增強，真空Rabi分裂高達200meV。SPP和LSP用于改變出射光子的方向，以提高UV LED的正光提取效率。實現(xiàn)氮化物半導(dǎo)體SPACER從藍綠光到深紫外波段，實現(xiàn)電子束泵浦激光。設(shè)計并制造了雙層鋁納米光柵綠色LED結(jié)構(gòu)，采用調(diào)制等離子體耦合增強，實現(xiàn)了70%以上的IQE提高和~54%的線性偏振度。利用InGaN/GaN納米孔和II-VI族核殼量子點混合結(jié)構(gòu)實現(xiàn)基于非輻射能量轉(zhuǎn)移的單片白光LEDFano。

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）