近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。
 

期間，由蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司協(xié)辦支持的“射頻電子器件與應(yīng)用論壇“上，韓國Wavice Inc首席技術(shù)官兼器件部門總監(jiān)Sangmin LEE，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連，西安電子科技大學(xué)特聘教授劉志宏，中興通訊股份有限公司董晶，羅德與施瓦茨市場(chǎng)發(fā)展經(jīng)理郭進(jìn)龍，日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平，中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所梁士雄，南京電子器件研究所高級(jí)工程師張凱，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)Alsaman A.amgad，中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心副研究員曾建平等精英專家們通過線上線下的方式帶來精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授于洪宇共同主持了本次論壇。

韓國Wavice Inc首席技術(shù)官兼器件部門總監(jiān)Sangmin LEE帶來了題為“i-line步進(jìn)器實(shí)現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性”的主題報(bào)告，分享了最新研究進(jìn)展，報(bào)告指出，在韓國，Wavice已開發(fā)出可制造的GaN HEMT。Wavice分別于2019年和2021年使用i-line步進(jìn)光刻技術(shù)在SiC襯底上推出了0.4 um和0.3 um 柵極GaN HEMT。在Wavice中，所有那些 0.4、0.3和0.2 um器件都是通過簡單的光刻和ICP蝕刻技術(shù)生產(chǎn)的。根據(jù)開發(fā)的初步結(jié)果，柵極長度降至0.12um。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連做了題為“亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究”的主題報(bào)告，報(bào)告面向高性能亞毫米波段GaN基HEMT，研究了MOCVD選區(qū)外延生長條件和氣流模型，揭示了生長厚度、電子遷移率以及有效摻雜濃度之間的關(guān)系。最大振蕩頻率300GHz以上GaN基HEMT常以超薄(In)AlN勢(shì)壘層抑制短溝道效應(yīng)，并常采用源漏極選區(qū)外延重?fù)诫sn+-GaN來減小寄生電阻。報(bào)告面向高性能亞毫米波段GaN基HEMT，研究了MOCVD選區(qū)外延生長條件和氣流模型，揭示了生長厚度、電子遷移率以及有效摻雜濃度之間的關(guān)系。InAlN/GaN HEMT的源漏極選區(qū)生長n+-GaN材料同時(shí)實(shí)現(xiàn)了電子濃度5.2×1019 cm-3，電子遷移率138 cm2/V·s，處于國際報(bào)道的最好水平之一。InAlN/GaN HEMT金半接觸電阻率低至0.04 Ω·mm，GaN與2DEG接觸電阻率為0.09Ω·mm，導(dǎo)通電阻Ron為0.75Ω·mm。

西安電子科技大學(xué)特聘教授劉志宏做了題為“面向移動(dòng)SoC應(yīng)用的氮化鎵射頻器件研究進(jìn)展”的主題報(bào)告，從InAlN勢(shì)壘結(jié)構(gòu)Si基GaN HEMT、AlN勢(shì)壘結(jié)構(gòu)Si基GaN HEMT、Si基GaN其他射頻器件及GaN-CMOS異質(zhì)集成等角度分享了最新研究進(jìn)展。報(bào)告指出，Si基GaN射頻在移動(dòng)終端SoC應(yīng)用具有很大潛力。移動(dòng)SoC 偏壓（3.5V和5V）下，InAlN勢(shì)壘結(jié)構(gòu)、AlN勢(shì)壘結(jié)構(gòu)的Si基GaN射頻HEMT表現(xiàn)出了優(yōu)于GaAs器件的性能。

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平帶來了題為“轉(zhuǎn)換效率超過91%的基于GaN肖特基勢(shì)壘二極管的微波整流器”的主題報(bào)告，從GaN-SBD 的設(shè)計(jì)和制造、905MHz微波整流器的開發(fā)等方面分享了研究成果。報(bào)告指出，設(shè)計(jì)并測(cè)量了基于U型GaN SBD的工作頻率為905 MHz 的微波整流器。由于出色的二極管性能和微波電路設(shè)計(jì)，在20dBm的輸入功率下實(shí)現(xiàn)了超過91.5%的實(shí)測(cè)轉(zhuǎn)換效率。

南京電子器件研究所高級(jí)工程師張凱做了題為“大功率GaN微波毫米波二極管及其創(chuàng)新應(yīng)用”的主題報(bào)告，報(bào)告首次報(bào)道系列大功率GaN微波毫米波肖特基二極管（初代產(chǎn)品），目前國內(nèi)外尚無類似產(chǎn)品。同時(shí)，展示了采用GaN二極管研制的微波整流、限幅器、太赫茲倍頻器等典型電路。

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)Alsaman A.amgad帶來了“HEMT器件通道內(nèi)2DEG電荷的空間非均勻性”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果，研究使用電流連續(xù)性和三角量子阱近似推導(dǎo)出了沿HEMT通道的電子濃度分布的分析模型。電子濃度分布可用于準(zhǔn)確估計(jì)不同偏置條件下的器件電容。

中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心副研究員曾建平帶來了題為“寬頻段高效率單片集成GaN基SBD倍頻電路研究”的線上主題報(bào)告。報(bào)告顯示，率先采用單片集成GaN基SBD技術(shù)，成功研制了單片集成GaN基SBD倍頻電路，并通過微組裝腔體技術(shù)，實(shí)現(xiàn)寬頻段高效率二倍頻器。

中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所梁士雄帶來了題為“基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果。研究采用金屬-有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法在SiC襯底上外延生長N-/N+結(jié)構(gòu)的GaN肖特基二極管材料。研究顯示，采用功率合成結(jié)構(gòu)，GaN基倍頻器的性能還將得到進(jìn)一步提升。

羅德與施瓦茨市場(chǎng)發(fā)展經(jīng)理郭進(jìn)龍做了題為“創(chuàng)新測(cè)試方案助力射頻芯片跨越發(fā)展”的主題報(bào)告。

中興通訊股份有限公司董晶做了題為“GaN技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)通信網(wǎng)絡(luò)雙碳目標(biāo)”的主題報(bào)告。

 

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