近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

期間，由蘇州能訊高能半導體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司共同協辦支持的”射頻電子器件與應用論壇“上，中國工程物理研究院微系統與太赫茲研究中心副研究員曾建平做了題為”寬頻段高效率單片集成GaN基SBD倍頻電路研究“的主題報告。

 

肖特基二極管（SBD）具有強烈的電容和電阻非線性，可以對輸入信號頻率生成高次諧波，實現信號的倍頻輸出，具有全固態、易于系統集成等特點。寬禁帶GaN基SBD在功率承載方面具有突出優勢，然而受載流子遷移率的影響，GaN基SBD倍頻電路的效率非常低。研究率先采用單片集成GaN基SBD技術，成功研制了單片集成GaN基SBD倍頻電路，并通過微組裝腔體技術，實現寬頻段高效率二倍頻器。實測在連續波模塊驅動下，峰值輸出效率達到13.4%@112GHz <mailto:峰值輸出效率達到13.4%@112GHz>；在大功率脈沖模塊驅動下，峰值輸出效率達到34.6%@94GHz <mailto:峰值輸出效率達到34.6%@113.5GHz>；在92GHz到115GHz的寬頻段內，脈沖模式轉化效率超過15%。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）