近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。
期間，由蘇州能訊高能半導體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司共同協辦支持的”射頻電子器件與應用論壇“上，中國電子科技集團公司第十三研究所梁士雄做了題為”基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器“的主題報告。
因具備高擊穿電壓和低介電常數的優勢，GaN肖特基二極管（SBD）在一些新興高功率太赫茲倍頻器上顯示出巨大的應用前景。報告表示，研究采用金屬-有機物化學氣相沉積（MOCVD）法在SiC襯底上外延生長N-/N+結構的GaN肖特基二極管材料。通過增加陽極結數量，優化陽極結尺寸，提高單個GaN 肖特基二極管芯片的耐受功率。基于三維電磁場模型，設計并制備了高性能的太赫茲倍頻器，展示出創紀錄的性能。
倍頻器在151 GHz下實現1322 mW的輸出功率和27%的效率，在216 GHz下實現1006 mW的輸出功率和15%的效率，在302 GHz下實現183 mW的輸出功率和13.9%的效率。采用功率合成結構，GaN基倍頻器的性能還將得到進一步提升。
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