近日，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，由蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司共同協(xié)辦支持的”射頻電子器件與應(yīng)用論壇“上，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連做了題為“亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究”的主題報(bào)告。
報(bào)告指出，最大振蕩頻率300 GHz以上GaN基HEMT常以超薄(In)AlN勢(shì)壘層抑制短溝道效應(yīng)，并常采用源漏極選區(qū)外延重?fù)诫sn+-GaN來減小寄生電阻。本論文面向高性能亞毫米波段GaN基HEMT，研究了MOCVD選區(qū)外延生長(zhǎng)條件和氣流模型，揭示了生長(zhǎng)厚度、電子遷移率以及有效摻雜濃度之間的關(guān)系。InAlN/GaN HEMT的源漏極選區(qū)生長(zhǎng)n+-GaN材料同時(shí)實(shí)現(xiàn)了電子濃度5.2×1019 cm-3，電子遷移率138 cm2/V·s，處于國(guó)際報(bào)道的最好水平之一。InAlN/GaN HEMT金半接觸電阻率低至0.04 Ω·mm，GaN與2DEG接觸電阻率為0.09 Ω·mm，導(dǎo)通電阻Ron為0.75 Ω·mm。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
